自动化设备加工常见的零件，1.平脸孔系零件：加工常见几何图形揉纵的电脑锣数控车床（如电脑锣刨床），在挑选技术线路时，关键考虑到加工精密度和加工高效率2个标准。2.平面图轮廓零件：应用电子计算机加工平面图轮廓零件时要留意：里外钻削方位操纵：切向钻削，工件表层留有凹痕；水准进入切出来，整平工件表层。一次逼近法挑选：具备平行线和弧形刀具半径补偿... 【查看详情】

尽管每款独特的电路设计要求的功能测试条件都不一样，但很多时候我们还是能找到他们的相同之处，比如一些可以通过功能测试去验证的参数，我们就可以总结出一些标准的方法。开短路测试原理（通俗叫O/S），开短路测试，是基于产品本身管脚的ESD防静电保护二极管的正向导通压降的原理进行测试。 进行开短路测试的器件管脚，对地或者对电源端，或者对地和对电源，... 【查看详情】

名称：Bga植球工艺的制作方法技术领域：本发明涉及一种BGA植球工艺，属于微电子技术领域。背景技术：随着球栅阵列结构的IC(以下称BGA)封装的发展和广泛应用，其将成为高密度、高性能、多功能封装的比较好选择。由于BGA特殊的封装形式，焊点位于封装体底部并且为呈半球状的锡球，锡球的成分一般为Sn/Ag/Cu，熔点为°C，在焊接过程中... 【查看详情】

探针台介绍：探针台是一种很专业的仪器，它主要的功能就是针对半导体元件进行检测，这里面说的半导体元件指的是集成电路，分立器件，光电器件，传感器等元件以及封装的测试。通过探针台配合测量仪器可完成集成电路的电压，电流，电阻和电容电压特性曲线等参数检测。可以适用于对芯片进行科研分析，抽查检测等；可以保证这些半导体元件的质量，缩短研发时间和器件制作... 【查看详情】

温控探针台的功能特点：1、可编程精密控温。可单独控制，也可从上位机软件控制；2、探针需开盖移动，样品台面电接地；3、探针分别导通冷热台外壳上的4个BNC接口；4、杠杆式探针支架，点针力度更大，电接触性更好；5、弯针探针，点针更精确；6、默认气密腔室，通问2个快速自锁接头，可充保护气体；7、上盖带有样品观察窗；8、台体内置干燥气体管道，用于... 【查看详情】

目前世界出货量头一的型号吸收了较新的工艺科技例如OTS，QPU和TTG相关技术，这种全新的高精度系统为下一代小型化的设计及多种测试条件提供保证。特性1:OTS-较近的位置对正系统(光学目标对准) OTS通过对照相机相对位置的测量来保证其一定位置的精度。这是非常引人注目的技术，来源于东京精密的度量技术。OTS实现了以自己为参照的光学对准系统... 【查看详情】

深圳市泰克光电科技有限公司是一家专业从事BGA植球机研发、生产和销售的技术企业，其BGA植球机产品具有自动化、高精度、高速植球能力以及良好的适应性和灵活性等优点，广泛应用于电子制造、通信、汽车电子、医疗器械等领域，能够有效提高电子芯片制造效率，降低生产成本。大家如果有任何的BGA植球机需求可以选择泰克光电，品质厂家值得信赖！随着科... 【查看详情】

自动化设备加工刨，磨到底是怎么加工的？刨削，刨削加工是用刨刀对工件作水平相对直线往复运动的切削加工方法，主要用于零件的外形加工。刨削加工精度一般可达IT9~IT7，表面粗糙度为Ra6.3~1.6μm。1）粗刨加工精度可达IT12~IT11，表面粗糙度为25~12.5μm。2）半精刨加工精度可达IT10~IT9，表面粗糙度为6.2~3.2μ... 【查看详情】

自动化设备加工常见的零件，三维轮廓零件。自动化设备加工注意的点，非标设备设计的合理性，设计工作是非标准机械设备制造的关键所在，设计是否合理直接决定后期的设备质量。在进行非标准机械设备设计的过程当中，首先是根据设备的实际需要进行相应的设计，在设计的过程当中要考虑实用性，同时还要考虑经济性。在设计的过程当中应该积极的引进新的技术，从而提高设备... 【查看详情】

只要标记的样品结合到探针阵列上后就会发出阳性信号，这种结合是否为正常配对，或正常配对与错配兼而有之，该方法本身并不能提供足够的信息进行分辨。对于以核酸杂交为原理的检测技术，荧光检测法的主要过程为：首先用荧光素标记扩增（也可以有其基因芯片它放大技术）过的靶序列或样品，然后与芯片上的大量探针进行杂交，将未杂交的分子洗去。深圳市泰克光电... 【查看详情】

固定板水平安装在升降板的顶侧，移动电机竖直固定在固定板的底侧。控制系统控制移动电机驱动传动组件转动带动托臂在固定板上来回移动，以便灵活调整托臂在水平方向上的位置。传动组件包括主动轮、从动轮和同步带，主动轮连接在移动电机的输出端，从动轮可转动地安装在固定板上，主动轮和从动轮通过同步带相连接，托臂固定连接在同步带上。主动轮和从动轮均可... 【查看详情】

光刻技术和离子刻蚀技术利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。湿法氧化生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区。生成SIO2薄膜热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。氧化LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻... 【查看详情】