转动环24的外壁固定套接有螺母25,螺母25的内壁元螺纹块21的外壁螺纹连接,连接机构2能够方便散热机构3与芯片本体1进行连接。散热机构3包括与l形杆23侧壁固定连接的空心导热块31,空心导热块31的下表面与芯片本体1的下表面活动连接,空心导热块31的上表面固定连通有多个连通管32,多个同侧连通管32的顶端共同固定连通有空心散热块33,多个空心散热块33的顶端均固定连通有多个第二连通管34,多个同侧第二连通管34的顶端共同固定连通有第二空心散热块35,空心散热块33与第二空心散热块35相互呈垂直分布,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了...
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如,实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚 拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明,而不应被解释为对其进行限制。尽管已...
本实用新型属于数据录入装置技术领域,特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术:传统依靠计算机键盘进行信息录入模式,已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发 明 公开号“cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的 公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特征在于:该装置主要包括一个4×4的键盘,一个 处理器cpu,两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单,只能根据预设置流程和界面进行操作,操作界面死板,动态输入性较差,从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“c...
四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm,四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个,可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线 ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlp...
发射机校准包括:apc校准、包络调整、afc频率补偿校准、温度补偿校准等。接收机校准包括:agc校准、rssi校准等。主板校准是手机生产测试的,手机的各项性能指标主要依靠校准工位调整参数,使之满足产品标准。校准完成后的手机,其性能是否满足规范要求,或机壳装配是否对性能有影响,需通过综测来验证。手机通过数据接口接收测试程序指令,再通过射频接口与测试仪器相连接,就可以测试发射机的功率、包络、频率、相位、接收机灵敏度等指标。整机测试完成后,计算机向手机写入相应生产测试信息。所述通讯模块采用zigbee无线方式与高频读卡模块和数据监测模块传输连接。所述远程后台服务器通过tcp/ip协议与无线网关装置相...
存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变r am(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被...
可以通过执行标准单元sc1至sc12的上述布局和布线来确定集成电路300的布图。可以通过电力轨311至316向标准单元sc1至sc12提供电力。电力轨311至316可以包括用于提供电源电压vdd的高电力轨311、313和315,以及用于提供比电源电压vdd低的第二电源电压vss的低电力轨312、314和316。例如,电源电压vdd可以具有正电压电平,第二电源电压vss可以具有地电平(例如,0v)或负电压电平。高电力轨311、313和315以及低电力轨312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上,以形成与由布置在第二方向y上的电力轨311至316定义的区域对应的多个电路行...
本实用新型属于数据录入装置技术领域,特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术:传统依靠计算机键盘进行信息录入模式,已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的 公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特征在于:该装置主要包括一个4×4的键盘,一个 处理器cpu,两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单,只能根据预设置流程和界面进行操作,操作界面死板,动态输入性较差,从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“c...
存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变r am(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被...
所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于 芯板底面的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内...
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。...
将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如,对应各环形槽的磁环4,第二磁环5,第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如,环初级绕组外过孔10,环次级绕组外过13,第二环初级绕组外过14,第二环次级绕组外过孔17,第三环初级绕组外过18,第三环次级绕组外过孔21等),沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如,环次级绕组内过孔11,环次级绕组内过孔12,第二环初级绕组内过孔15,第二环次级绕组内过16,第三环初级绕组内过孔19,第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如,激光过孔技术实现 精确打孔)。所述...
本实用新型涉及集成电路芯片技术领域,尤其涉及一种组合式集成电路芯片。背景技术:集成电路是一种微型电子器件或部件,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步,而集成电路芯片是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件,其电路形成于硅基板上,电路具有至少一输出/输入垫,固定封环形成于硅基板上,并围绕电路及输出/输入垫,接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间,并与固定封环电连接,防护环设置于硅基板之上,并围绕输出/输入垫,用以与固定封环电连接。目前集成电路芯片在使用的时候会散发大量的热量,但现有的芯片散热效率较低,导致芯片长时间处于高温环境中,高温不光...
在图5中的具有n=1的单元线路结构中,存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构,多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构,第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻,并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6,每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下:“d”表示双倍,“p”表示图案,“g”表示栅极。例如,双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗...
技术实现要素:本实用新型的目的就是提供一种集成电路软件快速录入装置,能完全解决上述现有技术的不足之处。本实用新型的目的通过下述技术方案来实现:一种集成电路软件快速录入装置,包括远程后台服务器、录入终端装置和显示器,所述录入终端装置包括微处理器、高频读卡模块、数据监测模块和通讯模块,所述录入终端装置通过数据线与远程后台服务器连接;所述显示器包括液晶显示屏、工作状态显示模块和电容式触摸模块,所述工作状态显示模块和电容式触摸模块分别与微处理器中的数据读写模块相连;所述数据监测模块包括下载判断模块、校准综测模块、开机模块、拍照模块、声音模块和按键模块。作为方式之一,所述通讯模块采用zigbee无线方式...
可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元,还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如,标准单元库可以包括标准单元的名称和功能,以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中,并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30),并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中,当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时,输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中,当接收的输入数据是定义集成电...
存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被集...
每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下,每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。 栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。...
存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变r am(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被...
本实用新型涉及集成电路芯片技术领域,尤其涉及一种组合式集成电路芯片。背景技术:集成电路是一种微型电子器件或部件,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步,而集成电路芯片是包括一硅基板、至少一电路、一固定封环、一接地环及至少一防护环的电子元件,其电路形成于硅基板上,电路具有至少一输出/输入垫,固定封环形成于硅基板上,并围绕电路及输出/输入垫,接地环形成于硅基板及输出/输入垫之间,并与固定封环电连接,防护环设置于硅基板之上,并围绕输出/输入垫,用以与固定封环电连接。目前集成电路芯片在使用的时候会散发大量的热量,但现有的芯片散热效率较低,导致芯片长时间处于高温环境中,高温不光...
将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如,对应各环形槽的磁环4,第二磁环5,第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如,环初级绕组外过孔10,环次级绕组外过13,第二环初级绕组外过14,第二环次级绕组外过孔17,第三环初级绕组外过18,第三环次级绕组外过孔21等),沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如,环次级绕组内过孔11,环次级绕组内过孔12,第二环初级绕组内过孔15,第二环次级绕组内过16,第三环初级绕组内过孔19,第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如,激光过孔技术实现 精确打孔)。所述...
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如,实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站 、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明,而不应被解释为对其进行限制。尽管已...
转动环24的外壁固定套接有螺母25,螺母25的内壁元螺纹块21的外壁螺纹连接,连接机构2能够方便散热机构3与芯片本体1进行连接。散热机构3包括与l形杆23侧壁固定连接的空心导热块31,空心导热块31的下表面与芯片本体1的下表面活动连接,空心导热块31的上表面固定连通有多个连通管32,多个同侧连通管32的顶端共同固定连通有空心散热块33,多个空心散热块33的顶端均固定连通有多个第二连通管34,多个同侧第二连通管34的顶端共同固定连通有第二空心散热块35,空心散热块33与第二空心散热块35相互呈垂直分布,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了...
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如,实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站 、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明,而不应被解释为对其进行限制。尽管已...
在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中,半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如,锗)、化合物半导体(诸如,碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如,gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中,半导体基底200包括多晶硅层,该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可...
所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸,其中,6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数,并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于 集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。...
存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解,图4a至图4b所示的集成芯片400和414可以实现图2的存储器阵列102的集成芯片的两个非限制性实施例,并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中,调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中,调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如,图5a示出了具有调节访问装置的存储器电路500的一些额外实施例的示意图,该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路500包括多个存储单元502a,1至502c,3,每个存储单元分别包括被配置为存储数据的...
工作mtj器件通过设置在衬底上方的介电结构与调节mtj器件横向分隔开。在一些实施例中,集成芯片还包括布置在位于工作mtj器件正上方的存储单元内的第二工作mtj器件,第二工作mtj器件被配置为存储第二数据状态。在一些实施例中,工作mtj器件通过不延伸穿过衬底的连续导电路径连接在位线和字线之间。在其它实施例中,本发明涉及集成电路。集成电路包括布置在衬底上方的介电结构内的互连层,互连层通过介电结构与衬底分隔开;以及调节mtj器件,布置在互连层正上方并且被配置为存储数据状态,工作mtj器件通过包括多个互连层并且不延伸穿过衬底的连续导电路径电连接在位线和字线之间。在一些实施例中,集成电路还包括调节访问装...
本实用新型属于数据录入装置技术领域,特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术:传统依靠计算机键盘进行信息录入模式,已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的 公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特征在于:该装置主要包括一个4×4的键盘,一个 处理器cpu,两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单,只能根据预设置流程和界面进行操作,操作界面死板,动态输入性较差,从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“c...
1可以包括工作mtj器件106和调节访问装置108,调节访问装置108具有形成在第三互连层406c和第四互连层406d之间的调节mtj器件204和206。第二存储单元202b,1可以根据与关于图9至图11描述的那些类似的步骤形成。图13示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法1300的一些实施例的流程图,该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如,mram单元),该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法300示出和描述为一系列步骤或事件,但是应该理解, 这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如,一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述...