存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被集...
四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm,四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个,可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节 距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlp...
四倍心轴图案qpm1、qpm2和qmp3可以布置为在方向x上具有相同的四倍心轴节距pqm,四倍心轴节距pqm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws4、uws5和uws6中每个,可以使用三个四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3在列导电层ccl中形成十二条列金属线ml1至ml12。每个单元线路结构的十二条列金属线ml1至ml12可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有金属节距pm21、第二金属节距pm22、金属节距pm21和第三金属节距pm23。金属节距pm21、第二金属节距pm22和第三金属节 距pm23可以由表达式4表示。表达式4pm21=wdm+wmlpm22=wqm-wmlp...
在图5中的具有n=1的单元线路结构中,存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构,多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构,第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻,并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6,每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下:“d”表示双倍,“p”表示图案,“g”表示栅极。例如,双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗...
存储介质1100(例如,存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元,并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如,小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如,计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器,以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中,可以被集...
在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中,半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如,锗)、化合物半导体(诸如,碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如,gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中,半导体基底200包括多晶硅层,该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可...
所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面 的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内...
导电覆盖层可以由金属氮化物(例如,tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如,钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件c...
本发明涉及集成电路封装技术,特别是一种集成电路基板,所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术:由于新能源的大力发展,隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高,而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率 更高,集成度更高,支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装,多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案,电源功率只有%。由于电感量不够大,信号传输不得不...
可以通过电力轨71与第二电力轨72之间沿第二方向y的距离定义标准单元scl的单元高度ch。可以沿着与电力轨71和72平行的方向x定义标准单元scl的单元宽度cw。线路m1的节距会由于小节距规则而需要满足限制。例如,线路m1会需要根据“前列到侧面”约束和“圆角”约束来满足限制。线路m1的尺寸、布置和间隔可能受到这些约束的限制。下通孔接触件v0和线路m1可以具有阻挡层和线路导电层的堆叠结构。阻挡层可以由例如tin、tan、它们的组合等形成。线路导电层可以由例如w、cu、它们的合金、它们的组合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或电镀方法来形成线路m1和下通孔接触件v0。根据一些示例实施例的集...
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。...
示出了一个处理器1500。可选地,多个处理器可以包括在设计系统1000中。此外,处理器1500可以包括增加计算容量的高速缓存存储器。这样,根据示例实施例的集成电路和设计集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。参照图14和图15,设计模块1400可以接收定义集成电路的输入数据di(s11)。布局模块1200可以参照包括如上所述的多个标准单元的标准单元库1110,以便提取与输入数据di对应的标准单元,并且可以使用提取的标准单元执行单元布局(s12)。布线模块1300可以针对布局的单元执行信号布线(s13)。当信号布线不成功时(...
所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于 芯板底面的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内...
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。...
转动环24的外壁固定套接有螺母25,螺母25的内壁元螺纹块21的外壁螺纹连接,连接机构2能够方便散热机构3与芯片本体1进行连接。散热机构3包括与l形杆23侧壁固定连接的空心导热块31,空心导热块31的下表面与芯片本体1的下表面活动连接,空心导热块31的上表面固定连通有多个连通管32,多个同侧连通管32的顶端共同固定连通有空心散热块33,多个空心散热块33的顶端均固定连通有多个第二连通管34,多个同侧第二连通管34的顶端共同固定连通有第二空心散热块35,空心散热块33与第二空心散热块35相互呈垂直分布,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了...
具备以下有益效果:该组合式集成电路芯片,通过设置有空心导热块、空心散热块和第二空心散热块,当芯片本体与集尘电路板安装的时候,首先把l形杆插入螺纹块的凹槽中,接着通过螺母与螺纹块连接,达到固定散热机构的目的,之后打开管盖,并通过导管向空心导热块内加注部分纯净水,接着盖上管盖,在芯片本体工作散发热量的时候,热量被空心导热块吸收,同时空心导热块内部的纯净水受热蒸发,并通过连通管和第二连接管进入到空心散热块和第二散热块中,利用空心散热块和第二空心散热块较 大的散热面积快速的把热量导出,然后水蒸汽凝结成水珠,水珠回到空心导热块中继续吸收热量,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,...
电脑显示工作状态及数据,与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:本实用新型所述集成电路软件快速录入装置,可随时查看工作状态及各项监测数据, 方便操作者使用,使得产品调试快捷。附图说明图1是本实用新型集成电路软件快速录入装置的原理结构示意图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。如图1所示,一种集成电路软件快速录入装置,包括远程后台服务器、录入终端...
可以使用侧壁间隔件261至266作为第二心轴图案在比抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3低的层中形成具有抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/4平均节距的目标图案。图5至图10是示出应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。为了便于描述,在层中形成的图案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在图5至图10中。图案dpm、qpm、dpg和qpg可以与参照图4a至图4i描述的心轴图案对应,并且可以在中间过程期间被去除以被排除在终集成电路中。在下文中,将参照图5、图6和图7描述通过sadp形成多条列金属线的示例实施例。参照图5、图6和图7,单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个可以包括分...
可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如,四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中,第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21=w...
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。...
转动环24的外壁固定套接有螺母25,螺母25的内壁元螺纹块21的外壁螺纹连接,连接机构2能够方便散热机构3与芯片本体1进行连接。散热机构3包括与l形杆23侧壁固定连接的空心导热块31,空心导热块31的下表面与芯片本体1的下表面活动连接,空心导热块31的上表面固定连通有多个连通管32,多个同侧连通管32的顶端共同固定连通有空心散热块33,多个空心散热块33的顶端均固定连通有多个第二连通管34,多个同侧第二连通管34的顶端共同固定连通有第二空心散热块35,空心散热块33与第二空心散热块35相互呈垂直分布,该结构能够有效提高芯片的散热效率,同时提高了芯片运行的流畅性,以及避免芯片因高温而损伤,提高了...
发射机校准包括:apc校准、包络调整、afc频率补偿校准、温度补偿校准等。接收机校准包括:agc校准、rssi校准等。主板校准是手机生产测试的,手机的各项性能指标主要依靠校准工位调整参数,使之满足产品标准。校准完成后的手机,其性能是否满足规范要求,或机壳装配是否对性能有影响,需通过综测来验证。手机通过数据接口接收测试程序指令,再通过射频接口与测试仪器相连接,就可以测试发射机的功率、包络、频率、相位、接收机灵敏度等指标。整机测试完成后,计算机向手机写入相应生产测试信息。所述通讯模块采用zigbee无线方式与高频读卡模块和数据监测模块传输连接。所述远程后台服务器通过tcp/ip协议与无线网关装置相...
三极管|光敏晶体管|低频放大三极管|功率开关晶体管|其他三极管⑷电子材料|电容器极板材料|导电材料|电极材料|光学材料|测温材料|半导体材料|屏蔽材料|真空电子材料|覆铜板材料|压电晶体材料|电工陶瓷材料|光电子功能材料|强电、弱电用接点材料|激光工质|电子元器件薄膜材料|电子玻璃|类金刚石膜|膨胀合金与热双金属片|电热材料与电热元件|其它电子材料⑸电容器|云母电容器|铝电解电容器|真空电容器|漆电容器|复合介质电容器|玻璃釉电容器|有机薄膜电容器|导电塑料电位器|红外热敏电阻|气敏电阻器|陶瓷电容器|钽电容器|纸介电容器|电子电位器|磁敏电阻/电位器|湿敏电阻器|光敏电阻/电位器|固定电阻器...
但这个发展速度也是非常惊人的。集成电路是一门高科技,它促进了很多门学科的发展,包括自动化、装备生产、精密仪器、微细加工等产业。1美金的芯片所能带动的GDP相当于100美金,而全世界一年的芯片产值所撬动的GDP,相当于中国和美国的GDP之和,而且,这个产业对我们国家的信息安全具有非常重要的作用。中国的芯片市场占了全世界的,是世界上大的芯片需求市场,但自给率却不到10%。从2008年开始,我国的集成电路进口占据了进口商品中大的一部分,甚至超过了石油和粮食。目前,我国集成电路生产技术还比较落后,面临着巨大的挑战。首先,为了降低成本,我们要尽量在单位面积上制造出更多的晶体管,缩小电路板面积。其次,努力...
可以通过执行标准单元sc1至sc12的上述布局和布线来确定集成电路300的布图。可以通过电力轨311至316向标准单元sc1至sc12提供电力。电力轨311至316可以包括用于提供电源电压vdd的高电力轨311、313和315,以及用于提供比电源电压vdd低的第二电源电压vss的低电力轨312、314和316。例如,电源电压vdd可以具有正电压电平,第二电源电压vss可以具有地电平(例如,0v)或负电压电平。高电力轨311、313和315以及低电力轨312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上,以形成与由布置在第二方向y上的电力轨311至316定义的区域对应的多个电路行...
隔线板7的存在,可以有效地将信号线束收集整理,可以防止显示驱动集成电路结构内的信号线杂乱,影响装置运行和检修,并且通过设置可插拔的方形橡胶塞8隔断信号线,便于根据信号线的接入位置随意调节橡胶塞8的位置,灵活方便。主板1的下方安装有信号接头9,信号接头9包括母头91、卡扣92和93,母头91的两侧设置有卡扣92,卡扣92的底端焊接在93的上方,母头91焊接在主板1的底部,93连接在信号线上,设置信号接头9来取代将信号线直接焊接在主板1上,能够便于后期对信号线的的检修和更换。主板1的边角处装设有减震螺栓10,减震螺栓10包括螺杆101、弹簧102、垫片103、第二垫片104、第二弹簧105和限位块...
模块可以包括软件组件、类组件、任务组件、过程、功能、属性、步骤、子例程、程序代码段、驱动程序、固件、微代码、电路、数据、数据库、数据结构、表、阵列、参数等。模块可以被划分为执行详细功能的多个模块。布局模块1200可以使用处理器1500基于定义集成电路和标准单元库1110的输入数据di来布置标准单元。布线模块1300可以针对从布局模块1200提供的单元布局执行信号布线。如果布线不成功,则布局模块1200可以修改先前的单元布局,并且布线模块1300可以利用修改的单元布局执行信号布线。当布线成功完成时,布线模块1300可以提供定义集成电路的输出数据do。布局模块1200和布线模块1300可以由单个集...
每条线路m1可以通过形成在层ly1与第二层ly2之间的多个下通孔接触件v0中的一个连接到多个导电接触件ca和cb中的一个。多个下通孔接触件v0中的每个可以例如通过穿过第二层间绝缘层134连接到多个导电接触件ca和cb中的一个。多个下通孔接触件v0可以通过第二层间绝缘层134彼此绝缘。线路m171至78可以包括在标准单元scl中使多个区域电连接的内部连接线路。例如,内部连接线路m178可以通过下通孔接触件v055和58以及接触件24和33将器件区rx1中的有源区ac和第二器件区rx2中的有源区ac电连接。线路m171和72可以分别对应于电力轨和第二电力轨。电力轨71可以连接到器件区rx1中的有源...
加法器电路806具有耦合到一预设权重w(i-1)的一输入端,以及耦合到分压器804的一输出端的另一输入端。在一些实施例中,加法器电路806包括基于操作放大器的加法器电路。据此,加法器电路806通过将反映差异的变化与预设权重w(i-1)相加来提供一反相经更新权重-w(i),其中差异在不成熟分类和参考分类之间。反相经更新权重-w(i)被反相器810反相为经更新权重w(i)。总之,经更新权重w(i)与预设权重w(i-1)相关联,特别是与差值(v1(i)-vc(i))和预设权重w(i-1)之间的代数关系相关联。暂存器812暂时提供预设权重w(i-1),并且当产生经更新权重w(i)时,因应于一时钟信号c...
图3示出了印刷电路板202、集成电路204a、204b、热接口材料206a、206b的层、散热器板208a、208b以及弹性夹210a、210b、210c。所公开的技术的特别值得注意的特征包括散热器板208的顶表面302,所述顶表面由越过印刷电路板202的与连接侧304相对的侧延伸的一个或多个侧板208形成。这些特征将在下面更详细地讨论。图4a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件400a和400b。印刷电路装配件400a和400b中的每个包括系统板402,多个印刷电路板插座平行地安装在系统板上,所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座标记为404。冷却管406邻接地且平行于每个印刷电...