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可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元,还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如,标准单元库可以包括标准单元的名称和功能,以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中,并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30),并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中,当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时,输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中,当接收的输入数据是定义集成电路的布图的数据(例如,具有图形数据系统ii(gdsii)格式的数据)时,输出数据的格式也可以是定义集成电路的布图的数据。通过图13的方法设计和制造的集成电路可以包括半导体基底、多条栅极线和多条列金属线。如参照图1至图10所述,6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构,其中,n是正整数并且多个单元线路结构布置在方向上。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。参照图14,设计系统1000可以包括存储介质1100、设计模块1400和处理器1500。回收,就选上海海谷电子有限公司,用户的信赖之选。青海电子物料回收服务

根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构uws1至uws6来提高集成电路的设计效率和性能。在下文中,参照可以支持根据示例实施例的集成电路的布图的理解的图11、图12a、图12b和图12c描述标准单元的示例结构。图11实质上是示意的,图11中未示出上述实施例的所有特征。图2示出在一些实施例中金属线“ml”相对于栅极线“gl”以6比4的比率出现。 图5和图7示出单个单元线路结构(uws)中存在六条金属线和四条栅极线的实施例。图8示出在具有八条栅极线(“gl”)的单个单元线路结构(uws)中存在十二条金属线(“ml”)的实施例。图11是示出示例标准单元的布图的示图,图12a、12b和12c是图11的标准单元的截面图。图12a、12b和12c示出包括鳍式场效应晶体管(finfet)的标准单元scl的一部分。图12a是图11的标准单元scl沿线a-a的截面图。图12b是图11的标准单元scl沿b-b线的截面图。图12c是图11的标准单元scl沿线c-c的截面图。参照图11、图12a、图12b和图12c,标准单元可以形成在具有上表面110a的基底110上,该上表面110a在水平方向(例如,方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例实施例中,基底110可以包括例如硅(si)、锗。广东电子物料回收收购回收,就选上海海谷电子有限公司,有需要可以联系我司哦!

根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如,实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站 、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明,而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例,但是本领域技术人员将容易理解,在实质上不脱离本发明构思的情况下,可以在示例实施例中进行许多修改。

可以通过电力轨71与第二电力轨72之间沿第二方向y的距离定义标准单元scl的单元高度ch。可以沿着与电力轨71和72平行的方向x定义标准单元scl的单元宽度cw。线路m1的节距会由于小节距规则而需要满足限制。例如,线路m1会需要根据“前列到侧面”约束和“圆角”约束来满足限制。线路m1的尺寸、布置和间隔可能受到这些约束的限制。下通孔接触件v0和线路m1可以具有阻挡层和线路导电层的堆叠结构。阻挡层可以由例如tin、tan、它们的组合等形成。线路导电层可以由例如w、cu、它们的合金、它们的组合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或电镀方法来形成线路m1和下通孔接触件v0。根据一些示例实施例的集成电路可以对应于各种标准单元的组合。尽管图中未示出,但是根据示例实施例的用于形成单元线路结构的列金属线可以形成在第二层ly2上方的m2层或m3层中。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图13的方法可以包括由设计工具执行的设计集成电路的布图的方法。在一些示例实施例中,设计工具可以包括包含可由处理器执行的多个指令的编程软件,即,以硬件(例如,处理器、asic等)的某种形式实现的软件。参照图13,可以接收定义集成电路的输入数据(s10)。例如。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,欢迎新老客户来电!

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可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如,四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中,第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21=wdg+wglpg22=wqg-wglpg23=pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中,wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度,wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度,wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中,将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10,单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述,可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。青海电子物料回收服务

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