企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

  ESD5304D是一款小功率静电保护器,通常用于保护高速数据接口免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件的损害。

  以下是关于ESD5304D的一些关键特性和信息:

  结构:ESD5304D包含四对**电容转向二极管和一个TVS(瞬态电压抑制器)二极管,这些组件共同工作以提供优异的静电保护和瞬态电压抑制能力。

  保护能力:根据IEC61000-4-2标准,ESD5304D的每条线路可以提供±20kV的接触放电保护。此外,它还可以符合IEC61000-4-4(EFT)和IEC61000-4-5(浪涌)等其他瞬态电压事件的标准。

  电气特性:ESD5304D具有**电容(CJ=0.4pF典型值)和低泄漏电流(IR<1nA典型值),这些特性有助于保持数据接口的性能并减少信号损失。同时,它的低箝位电压(VCL=14V典型值)有助于保护连接的电子设备免受高电压事件的损害。

  封装和尺寸:ESD5304D通常采用DFN2510-10L等封装形式,具体尺寸和引脚排列可能因制造商而异。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5304D这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 ESD56301D05-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1610-2L。规格书WILLSEMI韦尔WS3222D

规格书WILLSEMI韦尔WS3222D,WILLSEMI韦尔

      WL2801E是一款优异的低噪声、高PSRR(电源抑制比)以及高速CMOSLDO(低压差线性稳压器)。其高精度与出色的性能,使其在手机、笔记本电脑以及其他便携式设备中表现出色,为用户提供了前所未有的性价比体验。这款设备不仅具有出色的限流折回电路,能够同时作为短路保护和输出电流限制器,而且采用标准的SOT-23-5L封装,确保产品的环保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括宽输入电压范围(2.7V~5.5V)、灵活的输出电压范围(1.2V~3.3V)、以及高达300mA的输出电流能力。其高达75dB的PSRR在217Hz下表现出色,确保了电源噪声的有效抑制。此外,其低dropout电压(170mV@IOUT=200mA)和极低静态电流(70μA)使得它在低功耗应用中表现突出。

     这款产品的应用领域较广,包括MP3/MP4播放器、手机、无线电话、数码相机、蓝牙和无线手持设备以及其他便携式电子设备。无论是对于追求高性能的设计师,还是对于寻求成本效益的生产商,WL2801E都是理想的选择。

     安美斯科技专注于国产电子元器件的代理分销,并可以提供样品。这体现了我们对产品质量的自信和对客户需求的深入理解。选择安美斯科技,您将获得优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔WS3222DWS3202E61-6/TR 过压过电流保护IC 监控和复位芯片 封装:SOT-23-6L。

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WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件,其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。

特点:RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻,3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON),这意味着在器件导通时,其电阻较小,从而减小了能量损失。

低门极电荷:门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。

3407的低门极电荷可以更快地开关,从而减少开关损耗。

无铅:符合环保要求,适用于对无铅产品有需求的场合。应用:笔记本电脑的电源管理:

3407可以用于笔记本电脑中的DC-DC转换器,以提供稳定的电源。

便携式设备:由于它的快速开关和低能量损失,3407也适用于各种便携式设备,如智能手机、平板电脑等。

电池供电系统:在电池供电的应用中,减少能量损失和延长电池寿命是非常重要的,3407的出色RDS(ON)和低门极电荷特性使其成为电池供电系统的理想选择。

DC/DC转换器:这是3407的主要应用之一,用于将一种直流电压转换为另一种直流电压。

负载开关:3407可以用于控制电路的通断,实现负载开关的功能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

ES9DN12BA瞬态电压抑制器ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。特性:·截止电压:±12V。·按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)·按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)·典型电容:CJ=27pF·极低泄漏电流:IR=0.1nA·低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。·固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。应用:·计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。·手机·便携式电子设备·笔记本电脑ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。WL2851E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

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WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。  

      这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。

      此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。 

      安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。 WS742905S-8/TR 运算放大器 封装:SOP-8。规格书WILLSEMI韦尔WS3222D

WS742904M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。规格书WILLSEMI韦尔WS3222D

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS3222D

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