规格书WILLSEMI韦尔SPD9231A

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器

产品描述：

      ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。

      包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

      采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性：

 1、截止电压：5V

 2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低电容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏电流：IR<1nAtyp.

 7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固态硅技术

应用领域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便携式电子产品和笔记本电脑

安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 WH251E-3/TR 霍尔传感器 封装：TSOT-23-3L。规格书WILLSEMI韦尔SPD9231A

ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。

     ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

      其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。

     应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。

     ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5452NLWNM2020-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。

WS4612：60mΩ电流限制型电源分配开关

产品描述

    WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4612还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

· 输入电压范围：2.5-5.5V

· 主开关RON：60mΩ@VIN=5.0V

· 电流限制精度：±15%

· 调整电流限制范围：0.1A-2.5A（典型值）

· 典型上升时间：600μS

· 静态供电电流：26μA

· 欠压锁定

· 自动放电

· 反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用领域

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

     WS4612是功能丰富的电源分配开关，专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能，应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配，确保设备稳定运行。紧凑封装，环保无铅无卤素设计，易集成。详情查阅数据手册或联系我们。

WPM1481：单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述：

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时，其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品，还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS742905M-8/TR 运算放大器 封装：MSOP-8。

    WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本，步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护（OTP）和电流限制功能，以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装，为标准无铅且无卤素产品。

主要特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V

· 输出电流：500mA

· PSRR：在1KHz时为65dB

· 压差电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100μV

· 静态电流：典型值为150μA

应用领域：

· 液晶电视（LCD TV）

· 机顶盒（STB）

· 计算机、显卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列适用于电源管理，具有极低压差、低电流和高PSRR特性，确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保，易于集成，适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 ESD56031N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WPM3021

ESD9B5VL-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。规格书WILLSEMI韦尔SPD9231A

    ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷，同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器，它都能为这些设备提供坚实的电压保护，确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔SPD9231A