规格书WILLSEMI韦尔WPM2065A

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括：

1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。

3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。

4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESD5471X-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。规格书WILLSEMI韦尔WPM2065A

    ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±3.3V

· 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，提供10A（8/20μs）的浪涌保护

· 电容：典型值为17.5pF

· 低泄漏电流：典型值为1nA

· 低钳位电压：在脉冲电流为16A（TLP）时，典型值为8V。

· 固态硅技术

应用：

· 手机

· 计算机和外设：为计算机主板、显示器、键盘等

· 微处理器

· 电源线

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色，封装紧凑，环保特性强，广泛应用于手机、计算机和便携式设备，确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56181W04ESD56051N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。

    WAS3157B是一款高性能的单刀双掷（SPDT）CMOS模拟开关，专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻（典型值为5.5Ω）。此外，其SEL引脚具有过压保护功能，允许引脚上的电压超过VCC，至高可达7.0V，而不会损坏部件或影响其操作，无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路，以至小化VCC泄漏电流，即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之，在实际应用中，无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装，标准产品为无铅和无卤素。

特性：

· 电源电压：1.5~5.5V

· 导通电阻：在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB

· 带宽：在CL=5pF时为400MHz

· 断开隔离度：在10MHz时为-69dB

· 低静态电流：<1uA

· 先断后合功能ESD保护：HBM为±8000V，MM为±600V

应用领域：

· 手机

· MID（移动互联网设备）

· 其他便携式设备

    WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案，适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

    ESD5431Z-2/TR：电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制，确保在数据线和控制线受到过应力时，能够迅速抑制电压波动，保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力，根据IEC61000-4-2标准，它能承受高达±30kV的接触放电，确保在极端情况下仍能有效保护电路，能够承受高达40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷，同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器，它都能为这些设备提供坚实的电压保护，确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(3x3.8)。

ESD73011N：单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器

     ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.40pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

     ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WL2801E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56031N

SPD8811B-2/TR 半导体放电管（TSS） 封装：SMB。规格书WILLSEMI韦尔WPM2065A

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WPM2065A