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WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬态电压抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中，由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件，电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现，为这些设备提供了可靠的防护。  

      这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性，能够在瞬态事件发生时迅速响应，将电压限制在安全范围内，从而保护电路中的敏感组件免受损坏。

      此外，WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值，确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用，WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。 

      安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商，致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器，并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持，请随时联系我们。 WS742133H-14/TR 音频功率放大器 封装：TSSOP-14。WILLSEMI韦尔

WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。主要特性：·沟槽技术·超高密度单元设计·优异的开启电阻·极低的阈值电压应用领域：·DC/DC转换器·电源转换器电路·便携式设备的负载/电源切换WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐WNM2030这款MOS，并提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5452NWNM3013-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-723。

ESD5311N：单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。

     ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

      其主要特性包括：截止电压：5V，根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电），根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs），低电容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏电流：IR < 1nA（典型值），低箝位电压：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固态硅技。

     应用领域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便携式电子设备，笔记本电脑。

     ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护，适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4735Q-16/TR 模拟开关/多路复用器 封装：QFN1826-16L(1.8x2.6)。

ESD5451N：双向瞬态电压保护神

ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电，以及峰值脉冲电流达8A（8/20μs），为低速数据线和控制线提供强大的保护这款抑制器采用DFN1006-2L封装，具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax，电容典型值为17.5pF，漏电流极低，典型值小于1nA。此外，其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

ESD5451N适用于多种应用场景，包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性，为电子设备提供了可靠的保障。安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。中文资料WILLSEMI韦尔WL2852K

SPD9811B-2/TR 半导体放电管（TSS）封装：SMB。WILLSEMI韦尔

WPM3407是一款使用先进沟槽技术制成的器件，其特点是在低门极电荷下提供出色的RDS(ON)。这种器件非常适合用于DC-DC转换应用。

特点：RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在导通状态下的电阻，3407通过先进的沟槽技术实现了低RDS(ON)，这意味着在器件导通时，其电阻较小，从而减小了能量损失。

低门极电荷：门极电荷是描述开关器件从关闭到打开或从打开到关闭所需电荷量的参数。

3407的低门极电荷可以更快地开关，从而减少开关损耗。

无铅：符合环保要求，适用于对无铅产品有需求的场合。应用：笔记本电脑的电源管理：

3407可以用于笔记本电脑中的DC-DC转换器，以提供稳定的电源。

便携式设备：由于它的快速开关和低能量损失，3407也适用于各种便携式设备，如智能手机、平板电脑等。

电池供电系统：在电池供电的应用中，减少能量损失和延长电池寿命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低门极电荷特性使其成为电池供电系统的理想选择。

DC/DC转换器：这是3407的主要应用之一，用于将一种直流电压转换为另一种直流电压。

负载开关：3407可以用于控制电路的通断，实现负载开关的功能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WILLSEMI韦尔