广东BGA封装

系统级封装的优势，SiP和SoC之间的主要区别在于，SoC 将所需的每个组件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用异构组件并将它们连接到一个或多个芯片载波封装中。例如，SoC将CPU，GPU，内存接口，HDD和USB连接，RAM / ROM和/或其控制器集成到单个芯片上，然后将其封装到单个芯片中。相比之下，等效的SiP将采用来自不同工艺节点（CMOS，SiGe，功率器件）的单独芯片，将它们连接并组合成单个封装到单个基板（PCB）上。考虑到这一点，很容易看出，与类似的SoC相比，SiP的集成度较低，因此SiP的采用速度很慢。然而，较近，2.5D 和 3D IC、倒装芯片技术和封装技术的进步为使用 SiP 提供的可能性提供了新的视角。有几个主要因素推动了当前用SiP取代SoC的趋势：通信SiP在无线通信领域的应用较早，也是应用较为普遍的领域。广东BGA封装

合封芯片、芯片合封和SiP系统级封装经常被提及的概念。但它们是三种不同的技术，还是同一种技术的不同称呼？本文将帮助我们更好地理解它们的差异。合封芯片与SiP系统级封装的定义，首先合封芯片和芯片合封都是一个意思，合封芯片是一种将多个芯片（多样选择）或不同的功能的电子模块（LDO、充电芯片、射频芯片、mos管）封装在一起的定制化芯片，从而形成一个系统或者子系统。以实现更复杂、更高效的任务。合封芯片可定制组成方式包括CoC封装技术、SiP封装技术等。BGA封装市价SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。

PiP封装的优点：1）外形高度较低；2）可以采用标准的SMT电路板装配工艺；3）单个器件的装配成本较低。PiP封装的局限性：（1）由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本会高（封装良率问题）；（2）事先需要确定存储器结构，器件只能有设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。TSV，W2W的堆叠是将完成扩散的晶圆研磨成薄片，逐层堆叠而成。层与层之间通过直径在10µm以下的细微通孔而实现连接。此种技术称为TSV（Through silicon via）。与常见IC封装的引线键合或凸点键合技术不同，TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度更大、外形尺寸更小，并且较大程度上改善芯片速度和降低功耗，成为3D芯片新的发展方向。

包装，主要目的是保证运输过程中的产品安全，及长期存放时的产品可靠性。对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。主要材料有Tray盘，抗静电袋，干燥剂、湿度卡，纸箱等。包装完毕后，直接入库或按照要求装箱后直接发货给客户。倒装焊封装工艺工序介绍，焊盘再分布，为了增加引线间距并满足倒装焊工艺的要求，需要对芯片的引线进行再分布。制作凸点，焊盘再分布完成之后，需要在芯片上的焊盘添加凸点，焊料凸点制作技术可采用电镀法、化学镀法、蒸发法、置球法和焊膏印尽4法。目前仍以电镀法较为普遍，其次是焊膏印刷法。SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。

SiP技术特点：制造工艺，SiP的制造涉及多种工艺，包括：基板技术：提供电气连接和物理支持的基板，可以是有机材料（如PCB）或无机材料（如硅、陶瓷）。芯片堆叠：通过垂直堆叠芯片来节省空间，可能使用通过硅孔（TSV）技术来实现内部连接。焊接和键合：使用焊球、金线键合或铜线键合等技术来实现芯片之间的电气连接。封装：较终的SiP模块可能采用BGA（球栅阵列）、CSP（芯片尺寸封装）或其他封装形式。SiP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。随着集成的功能越来越多，PCB承载的功能将逐步转移到SIP芯片上。山东陶瓷封装市场价格

SIP模组板身是一个系统或子系统，用在更大的系统中，调试阶段能更快的完成预测及预审。广东BGA封装

基板的分类：封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。结构分类：刚性基板材料和柔性基板材料。增强材料分类：有有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）和复合系；基板的处理，基板表面处理方式主要有：热风整平、有机可焊性保护涂层、化学镍金、电镀金。化学镍金：化学镍金是采用金盐及催化剂在80~100℃的温度下通过化学反应析出金层的方法进行涂覆的，成本比电镀低，但是难以控制沉淀的金属厚度，表面硬并且平整度差，不适合作为采用引线键合工艺封装基板的表面处理方式。广东BGA封装