例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁（启动困难），后面还是换上原来一样型号的才解决问题。检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路...

控制电路的一般分析方法说明对于控制电路的分析通常要分成多种情况，例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言，控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。（1）电路中没有录音信号时，直流控制电压Ui为0，二极管VD1截止，VD1对电路工作无影响，级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。（2）当电路中的录音信...

二极管工作原理（正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电...

不熟悉电路功能对电路工作原理很不利，在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。ALC电路在录音机、卡座的录音卡中，录音时要对录音信号的大小幅度进行控制，了解下列几点具体的控制要求有助于分析二极管VD1自动控制电路。（1）在录音信号幅度较小时，不控制录音信号的幅度。（2）当录音信号的幅度大到一定程度后，开始对...

自恢复保险丝（自恢复保险丝分为聚合物PPTC和陶瓷CPTC两类，以下本文介绍的均为聚合物PPTC）是由经过特殊处理的聚合树脂(Polymer)及分布在里面的导电粒子(CarbonBlack)组成。在正常操作下聚合树脂紧密地将导电粒子束缚在结晶状的结构外，构成链状导电电通路，正常状态下的自复保险丝阻值很低（几十毫欧~几欧）。对于自恢复保...

在20世纪50年代，美国科学家理查德·弗莱斯特发明了一种新型放电管，它被称为弗莱斯特管。这种管子采用了更高的电压和更高的气压，可以产生更强的放电现象。弗莱斯特管被广用于电视和雷达等领域。在20世纪60年代，美国科学家罗伯特·诺伊斯发明了一种新型放电管，它被称为诺伊斯管。这种管子采用了更高的电压和更高的气压，可以产生更强的放电现象。诺伊斯管...

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种半导体器件，是现代电子技术中重要的器件之一。MOS管的优缺点决定了它们在不同应用场景中的适用性。 MOS管的缺点电压限制：MOS管的工作电压范围有限，通常在几伏到几十伏之间。这意味着它们不能用于高电压应用，例如电力...

工业级保险丝采用品质高的材料和先进的制造工艺，具有长寿命的特点。它们能够在长时间的使用中保持良好的性能和稳定性，不易损坏和老化。成都长九电子科技有限公司是一家专业从事保护器件和功率器件芯片设计研发与生产销售的公司，我们拥有先进的技术和设备，能够为客户提供品质高的工业级保险丝产品和服务。我们的工业级保险丝产品具有高可靠性、高精度、高承载能力...

不熟悉电路功能对电路工作原理很不利，在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。ALC电路在录音机、卡座的录音卡中，录音时要对录音信号的大小幅度进行控制，了解下列几点具体的控制要求有助于分析二极管VD1自动控制电路。（1）在录音信号幅度较小时，不控制录音信号的幅度。（2）当录音信号的幅度大到一定程度后，开始对...

二极管工作原理（正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电...

安装方式：保险丝的安装方式也是需要考虑的因素。保险丝可以通过焊接、插入等方式安装在电路中。在选择保险丝时，应该根据电路的安装方式来选择相应的保险丝。 环境条件：保险丝的环境条件也是需要考虑的因素。例如，如果电路工作在潮湿的环境中，那么应该选择具有防潮性能的保险丝。总之，选择正确的保险丝需要考虑多个因素，包括额定电流、额定电压、断...

MOS管的工作原理增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场...