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例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁（启动困难），后面还是换上原来一样型号的才解决问题。检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换，因为该MOS管的损坏也可能是灌流电路元件的欠佳引起MOS管损坏。即便是MOS管本身原因损坏，在MOS管击穿的瞬间，灌流电路元件也受到伤害，也应该更换。就像我们有很多高明的维修师傅在修理A3开关电源时；只要发现开关管击穿，就也把前面的2SC3807激励管一起更换一样道理（尽管2SC3807管，用万用表测量是好的）。 国产MOS管什么品牌好？西藏车规MOS管厂家地址

MOS管有什么优点：1)输入阻抗高，驱动功率小：控制方式为电压控制，比较方便。由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。

2）开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。 云南汽车级MOS管现货MOS管的应用范围包括通信、计算机、消费电子等领域。

日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驱动。不过PMOS由于存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题，在高速驱动中，通常还是使用NMOS替代，这也是市面上无论是应用还是产品种类，增强型NMOS管常见的重要原因，尤其在开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.导通特性导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就会导通，适用于源极接地时的情况(低端驱动)，只需栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况(高速驱动)。

MOS管的特性1、开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs2、开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，也就是MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。3、由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制，NMOS的使用场景要远比PMOS多，因此在将更适合于高驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。当MOS导通时，Vs=Vd=Vdd，此时要保持MOS的导通，就需要Vg>Vdd。在功率驱动电路中，MOS经常开关的是电源电压，或者说是系统中达到阙值电压，此时要保证MOS的导通就需要额外升压提供Vg。4、在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。当驱动电压大于稳压管电压时，会额外增加管子的功耗。如果栅极控制电压不足时，则会导致管子开关不彻底，也会增加管子功耗。 从应用侧出发来给大家介绍一下MOS管里面常见的。

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6.MOS管的开关条件N沟道—导通时Ug>Us,Ugs>Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug<Us,Ugs<Ugs(th)时导通总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

7.相关概念BJTBipolarJunctionTransistor双极性晶体管，BJT是电流控制器件；FETFieldEffectTransistor场效应晶体管，FET是电压控制器件.按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

8.MOS管重要参数①封装②类型（NMOS、PMOS）③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的阙值的电压）④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th) MOS管快速入门到精通。西藏MOS管工厂

成都长九电子科技有限公司为伯恩半导体（BORN）西南分公司。西藏车规MOS管厂家地址

以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。简称MOSIC。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，和普通双极型晶体管相比拟，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，得到了越来越普遍的应用。 西藏车规MOS管厂家地址