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MOS管的特性1、开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通，PMOS只要满足Vgs2、开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，也就是MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。3、由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制，NMOS的使用场景要远比PMOS多，因此在将更适合于高驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。当MOS导通时，Vs=Vd=Vdd，此时要保持MOS的导通，就需要Vg>Vdd。在功率驱动电路中，MOS经常开关的是电源电压，或者说是系统中达到阙值电压，此时要保证MOS的导通就需要额外升压提供Vg。4、在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。当驱动电压大于稳压管电压时，会额外增加管子的功耗。如果栅极控制电压不足时，则会导致管子开关不彻底，也会增加管子功耗。 工程师们！你们有多了解MOS管？云南工业级MOS管厂址

MOS管工作原理

1、N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极(漏极D、源极S9);在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G;P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管a。当栅极Ga和源极S之间不加任何电压，即VGS=0时，由于漏极和源极两个N+型区之间隔有P型衬底，相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。 云南工业级MOS管厂址MOS管作用与特性是什么?

无二次击穿；由于普通的功率晶体三极管具有当温度上升就会导致集电极电流上升（正的温度～电流特性）的现象，而集电极电流的上升又会导致温度进一步的上升，温度进一步的上升，更进一步的导致集电极电流的上升这一恶性循环。而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降，这就形成了管温继续上升、耐压继续下降会导致晶体三极管的击穿，这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象，也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性，即当管温度（或环境温度）上升时，沟道电流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET开关管，当VGS控制电压不变时，在250C温度下IDS=3A，当芯片温度升高为1000C时，IDS降低到2A，这种因温度上升而导致沟道电流IDS下降的负温度电流特性，使之不会产生恶性循环而热击穿。也就是MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大幅度降低也是一个极好的证明。

mos管也称场效应管，首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsicsilicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gatedielectric(栅介质)。MOS管是一种常用的场效应管，它具有以下四种作用：1.放大作用：MOS管可以将输入信号放大，使得输出信号的幅度比输入信号大。2.开关作用：MOS管可以作为开关使用，控制电路的通断。3.反相器作用：MOS管可以将输入信号进行反相，即输出信号与输入信号相反。4.滤波作用：MOS管可以作为滤波器使用，对输入信号进行滤波，去除不需要的频率成分，得到需要的信号。 MOS管的全称是金属-氧化物-半导体场效应晶体管。

我们把单片机的一个IO口接到这个MOS管的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等效为这个被闭合的开关，指示灯光就会被打开；那输出为低的时候呢，这个NMOS就等效为这个开关被松开了，那此时这个灯光就被关闭，是不很简单。那如果我们不停的切换这个开关，那灯光就会闪烁。如果切换的这个速度再快一点，因为人眼的视觉暂留效应，灯光就不闪烁了。此时我们还能通过调节这个开关的时间来调光，这就是所谓的PWM波调光，以上就是MOS管经典的用法，它实现了单片机的IO口控制一个功率器件。当然你完全可以把灯泡替换成其他的器件。器件比如说像水泵、电机、电磁铁这样的东西。 mos管三个工作状态条件。云南工业级MOS管厂址

mos管和场效应管有什么区别？云南工业级MOS管厂址

MOS管的开通过程关于MOS管的开通过程，网络上有许多文档进行分析，其来源应为一篇带感性负载的MOS管开通过程的分析，很多转发该文章的网文却常常忽略了这一点，把这个过程当做了所有场景下MOS的开通过程。因此，在分析之前，先说明本文分析的前提：阻性负载下，VDS固定时，加驱动电压VGS的情况下，MOS管的导通过程分析。

带阻性负载的MOS管电路在GS、GD、DS之间都有寄生电容，在DS之间还有一个寄生二极管。在t0时刻，MOS管栅极加一驱动电压VGS,其值为MOS管完全导通所需要的驱动电压VGS(sat)后续，若负载继续加重，使漏极电流继续上升，则MOS管的电流将会饱和，MOS管进入饱和区。 云南工业级MOS管厂址