江苏ITO陶瓷靶材

通常靶材变黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反应气体和溅射气体比例的影响。在反应溅射过程中，靶材表面的溅射通道区域被反应产物覆盖或反应产物被剥离，金属表面重新暴露。如果化合物的形成速率大于化合物被剥离的速率，则化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成速率增加。如果反应气体量增加过多，复合覆盖面积增加，如果反应气体流量不能及时调整，复合覆盖面积增加的速度不会受到抑制，溅射通道将被化合物进一步覆盖。当溅射靶材完全被化合物覆盖时，靶材将完全中毒。靶材中毒变黑的影响a、正离子积聚：当靶材中毒时，在靶材表面形成绝缘膜。当正离子到达阴极靶表面时，由于绝缘层的阻挡，它们不能直接进入阴极靶表面。相反，它们沉积在靶材表面，很可能产生电弧放电——在冷场中产生电弧，使阴极溅射无法进行。b、阳极消失：当靶材中毒时，地面真空室壁上沉积绝缘膜，到达阳极的电子不能进入阳极，形成阳极消失现象。溅射靶材的要求较传统材料行业高。江苏ITO陶瓷靶材

陶瓷靶材和金属靶材各自优缺点：1.导电性:金属靶材都具有导电性,可以适应各种不同电源类型机台,而陶瓷靶材因为大部分不具备导电性,只能使用射频电源. 2.导热性:金属靶材导热性能好,溅射时可以大功率运行.陶瓷靶材导热性较差,溅射时功率不宜过高.复合性:3. 金属靶材内很难掺入其他陶瓷类物质,溅射后膜层功能比较单一.陶瓷靶材可以根据需要掺入不同金属及陶瓷类物质,溅射后可以形成多种物质组成的复合膜层,这点陶瓷靶材比金属靶材占优.江苏ITO陶瓷靶材HJT电池靶材有望快速实现国产替代国产靶材厂商有望在HJT电池时代实现靶材上的弯道超车。

靶材安装注意事项靶材安装过程中非常重要的注意事项是一定要确保在靶材和溅射腔体冷却壁之间建立很好的导热连接。如果冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲，背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响，导致在溅射过程中热量无法散发**终会造成靶材开裂或脱靶。为确保足够的导热性，可以在阴极冷却壁与靶材之间加垫一层石墨纸。请注意要仔细检查和明确所使用溅射***冷却壁的平整度，同时确保密封圈始终在位置上。由于所使用冷却水的洁净程度和设备运行过程中可能会产生的污垢会沉积在阴极冷却水槽内，所以在安装靶材时需要对阴极冷却水槽进行检查和清理，确保冷却水循环的顺畅和进出水口不会被堵塞。有些阴极设计与阳极的空隙较小，所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体，否则会产生短路。

氧化铌靶材根据其镀膜工艺的不同分为平面靶材和旋转靶材两种,所需的氧化铌纯度均要求达到99.95%,但对氧化铌的物理性能指标要求不同。平面靶材的生产使用热压法,要求氧化铌粉末粒度细且均匀,成形性能好;旋转靶材采用热喷涂法生产,要求氧化铌具有良好的流动性及严格的粒度范围。旋转靶材是近些年新发展的一种靶材,与传统的平面靶材相比,旋转靶材相对于平面靶材具有很多的优点： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以达到90％; 2、溅射速度快,为平面靶的2-3倍; 3、有效地减少打弧和表面掉渣,工艺稳定性好等优点,因此近年来逐步替代了平面靶材。 针对国内尚未能生产靶材级高纯氧化铌的现状,在现有氧化铌湿法冶金生产工艺的基础上,以高纯铌液为原料,通过喷雾干燥造粒的方法实现对氧化铌产品粒度和粒形的控制,制取满足氧化铌靶材尤其是氧化铌旋转靶材生产要求的球形高纯氧化铌产品。产品纯度为99.95%、粒形为球形、粒度大小范围为50-150μm的高纯氧化铌产品。与国外同行生产厂家以高纯氧化铌产品为原料,需经过球磨、制浆、造粒、焙烧的工艺流程相比,具有工艺流程简单,生产成本低,粒度可控,产品成品率高的特点。产品完全能够满足生产氧化铌旋转靶材的要求。AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。

从ITO靶材的发展趋势来看：1）大尺寸化，在需要大面积镀膜时，通常将小尺寸靶材拼接焊接成大尺寸靶材，由于具有焊缝，靶材镀膜质量将降低；2）高密度化，在溅射过程中ITO靶材表面会出现结瘤现象，如果继续溅射，所制备的薄膜光学性能以及电学性能将降低。高密度的靶材具有较好的热传导性以及较小的界面电阻，因此结瘤现象出现的概率较小，所制备的ITO薄膜的质量较高，且生产效率、成本较低；3）提高靶材利用率，由于平面靶材在溅射过程中，中间部分难以被侵蚀，因此靶材利用效率相对较低。通过改变靶材形状，可以提高靶材的利用效率，从而降低备ITO薄膜的成本。目前制备太阳能电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等。贵州AZO陶瓷靶材市场价

靶材主要用于生成太阳能薄膜电池的背电极，晶体硅太阳能电池较少用到溅射靶材。江苏ITO陶瓷靶材

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.

ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生??靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。 江苏ITO陶瓷靶材

江苏迪纳科精细材料股份有限公司总部位于南京市江宁区芳园西路10号九龙湖国际企业园创新中心A座8层，是一家2011年成立，一直专注于PVD磁控溅射靶材的研发、生产、销售、应用推广以及靶材回收再利用。产品涵盖陶瓷靶材、高纯金属靶材、合金靶材、贵金属靶材、等离子喷涂靶材、蒸发镀颗粒及高纯陶瓷粉末。20年专注专业，1站式靶材供应。的公司。公司自创立以来，投身于溅射靶材，陶瓷靶材，金属靶材，等离子喷涂靶材，是电子元器件的主力军。迪纳科材料继续坚定不移地走高质量发展道路，既要实现基本面稳定增长，又要聚焦关键领域，实现转型再突破。迪纳科材料创始人孔伟华，始终关注客户，创新科技，竭诚为客户提供良好的服务。