企业商机
陶瓷靶材基本参数
  • 品牌
  • 迪纳科,迪丞,东玖,靶材
  • 型号
  • 平面,旋转
  • 是否定制
陶瓷靶材企业商机

氧化铌靶材根据其镀膜工艺的不同分为平面靶材和旋转靶材两种,所需的氧化铌纯度均要求达到99.95%,但对氧化铌的物理性能指标要求不同。平面靶材的生产使用热压法,要求氧化铌粉末粒度细且均匀,成形性能好;旋转靶材采用热喷涂法生产,要求氧化铌具有良好的流动性及严格的粒度范围。旋转靶材是近些年新发展的一种靶材,与传统的平面靶材相比,旋转靶材相对于平面靶材具有很多的优点: 1、利用率高(70%以上),甚至可以达到90%; 2、溅射速度快,为平面靶的2-3倍; 3、有效地减少打弧和表面掉渣,工艺稳定性好等优点,因此近年来逐步替代了平面靶材。 针对国内尚未能生产靶材级高纯氧化铌的现状,在现有氧化铌湿法冶金生产工艺的基础上,以高纯铌液为原料,通过喷雾干燥造粒的方法实现对氧化铌产品粒度和粒形的控制,制取满足氧化铌靶材尤其是氧化铌旋转靶材生产要求的球形高纯氧化铌产品。产品纯度为99.95%、粒形为球形、粒度大小范围为50-150μm的高纯氧化铌产品。与国外同行生产厂家以高纯氧化铌产品为原料,需经过球磨、制浆、造粒、焙烧的工艺流程相比,具有工艺流程简单,生产成本低,粒度可控,产品成品率高的特点。产品完全能够满足生产氧化铌旋转靶材的要求。冷等静压法制备ITO靶材优点。贵州陶瓷靶材咨询报价

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薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术。薄膜晶体管阵列的制作原理,是在真空条件下,利用离子束流去轰击固体,使固体表面的原子电离后沉积在玻璃基板上,经过反复多次的“沉积+刻蚀”,一层层(一般为7-12层)地堆积制作出薄膜晶体管阵列。这种被轰击的固体,即用溅射法沉积薄膜的原材料,就被称作溅射靶材。除LCD外,近年来快速发展的OLED面板产业靶材需求增长也十分明显。OLED典型结构是在氧化铟锡(ITO)玻璃上制作一层几十纳米厚的发光材料,ITO透明电极作为器件的阳极,钼或者合金材料作为器件的阴极。平板显示制造中主要使用的靶材为钼铝铜金属靶材和氧化铟锡(ITO)靶材。目前国内单条8.5代线ITO靶材年需求量约40吨,6代线ITO靶材年需求量约20吨。广西AZO陶瓷靶材生产企业超大规模集成电路制造过程中要反复用到的溅射工艺属于PVD技术的一种,是制备电子薄膜材料的主要技术之一。

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从整体上看,ITO在光电综合性能上高于AZO靶材,但AZO靶材的优势或将为靶材带来降本空间。在相关实验中利用AZO靶材和ITO靶材制备了3组实验薄膜(共6份样品)。实验中主要从光学性能和电学性能上对AZO薄膜和ITO薄膜进行了对比。在特定情况下AZO靶材与ITO靶材电学性能差距缩小。根据比较终实验数据来看,AZO薄膜和ITO薄膜的方块电阻以及电阻率随着薄膜的厚度增加而降低,并且随着薄膜厚度的增加,AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。当AZO薄膜厚度为640nm时,方块电阻以及电阻率为32Ω•sq-1和20.48*10-4Ω•cm。AZO薄膜光学性能优于ITO薄膜。ITO薄膜的光学性能随着厚度的增加明显变差,但是对于AZO薄膜,透射率并没有随着厚度的增加而明显下降,在厚度为395nm时,高透射率光谱范围比较宽,可见光区平均透射率比较高,光学总体性能比较好,可充当透射率要求在85%以上的宽光谱透明导电薄膜的光学器件

研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料,因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中,用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材,直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比,具有沉积速度快,膜质优良,工艺易控等优点成为目前的主流?但是,此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化,生成黑色不规则球状节瘤,本文称此现象为靶材毒化,毒化使溅射速率下降,膜质劣化,迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射,严重影响了镀膜效率。


靶材是制备薄膜的主要材料之一。

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氧化铌由于其独特的物理和化学性质而被广地应用于现代技术的许多领域。例如,利用其较强的紫外线吸收能力,可将其用作紫外敏感材料的保护膜;利用其薄膜折射率较高的特性,可与SiO2等配合可制备具有不同折射率的薄膜。由于这些明显的优点,氧化铌靶材被广地应用于太阳能电池、液晶显示器、离子显示器、收集触屏、光学玻璃、气体传感器等众多领域。随着科技的不断发展以及应用领域的不断延伸,氧化铌靶材的需求量也不断增大。目前,市场上使用的多的是氧化铌平面靶材,大都采用真空热压法来制备。但是采用该方法,氧化铌靶坯厚度较大,加工过程中需要通过机加工剖片工艺加工达到所需的厚度要求。靶材预溅射建议采用纯氩气进行溅射,可以起到清洁靶材表面的作用。广西AZO陶瓷靶材生产企业

铝靶、铜靶用于导电层薄膜,钼靶、铬靶用于阻挡层薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明导电层薄膜。贵州陶瓷靶材咨询报价

靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。(1)靶坯是高速离子束流轰击的目标材料,属于溅射靶材的主要部分,涉及高纯金属、晶粒取向调控。在溅射镀膜过程中,靶坯被离子撞击后,其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。(2)背板起到主要起到固定溅射靶材的作用,涉及焊接工艺。由于高纯度金属强度较低,而溅射靶材需要安装在机台内完成溅射过程。机台内部为高电压、高真空环境,因此,超高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合,背板需要具备良好的导电、导热性能。贵州陶瓷靶材咨询报价

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宁夏功能性陶瓷靶材厂家 2024-10-24

ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型,再高温气氛烧结(1600度,通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体。ito薄膜是利用ito材作为原材料,通过磁控溅射把ito气化溅渡到玻璃基板或柔性有机薄膜上ito材主要是在平板显示器中得到广的运用,靶材主用是在半导体中运用广。科技发展的迅速,让电子行业在市场中占据很大的份额,直接影响到了人们的工作和生活ITO溅射靶材是一种由氧化铟锡制成的陶瓷射材料。氧化铟锡(ITO)是氧化铟(In203)和氧化锡(SnO2)的固溶体,通常按重量计90%In203、10%SnO2。铟锡氧化物(ITO)因其导电性和光学透明性而成为应用广的...

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