WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。
主要特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 优异的开启电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器电路
· 便携式设备的负载/电源切换
WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术,提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备,且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS4601E-5/TR 功率电子开关 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2852K
WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器)
产品描述:
WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
静态电流:1.5μA(典型值)
输入电压:2.1V~5.5V
输出电压:1.1V~3.3V
输出电流:@VOUT=3.3V时为300mA
输出电流:@VOUT=2.0V时为200mA
输出电流:@VOUT=1.5V时为150mA
压差电压:@100mA时为100mV
推荐电容器:1uF或更大
工作温度:-40°C至+85°C
输出短路保护
应用领域:
MP3/MP4播放器
手机
蓝牙耳机
无线鼠标
其他电子设备
WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器,性能优异,低静态电流,高效能,延长电池寿命。优化设计,使用低成本陶瓷电容器,在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装,符合环保标准,是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WSB5568NWL2801E18-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。
BL1551B是一款模拟开关,具体地说:它是一个单通道、高带宽的单刀双掷(SPDT)模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势:
高带宽:BL1551B具有高达350MHz的带宽,这使得它能够处理高速信号切换,满足许多高速应用的需求。
低导通电阻:在5V工作电压下,其导通电阻为2.7Ω,这有助于减少信号在开关过程中的损失,保证信号的完整性。
高效的隔离度:在1MHz的频率下,BL1551B的隔离度达到-84dB,这意味着在开关处于关闭状态时,信号泄漏非常小,从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围:BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V,这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作,为设计者提供了更大的灵活性。
此外,BL1551B的封装类型为SC-70-6,这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中,BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销,我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关,并提供样品供您测试,如需更多信息或支持,请随时联系我们。
ESD5311N:单线、双向、低电容瞬态电压抑制器。
ESD5311N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别针对连接到数据和传输线的敏感电子组件,以防止由静电放电(ESD)引起的过度压力。其内部包含一个低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。采用DFN1006-2L封装,为标准产品,无铅且不含卤素。
其主要特性包括:截止电压:5V,根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电),根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs),低电容:CJ = 0.25pF(典型值),低漏电流:IR < 1nA(典型值),低箝位电压:VCL = 21V(典型值)@ IPP = 16A(TLP),固态硅技。
应用领域包括:USB 2.0和USB 3.0,HDMI 1.3和HDMI 1.4,SATA和eSATA,DVI,IEEE 1394,PCI Express,便携式电子设备,笔记本电脑。
ESD5311N为高速数据接口提供了出色的静电放电保护,适用于高数据传输和严格ESD防护应用。如有进一步问题或需求,请随时与我们联系。我们期待与您合作,为您提供优异的产品和服务。 ESD9N5BM-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WD1033E-5/TR DC-DC电源芯片 封装:SOT-23-5L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E12
SPD9811B-2/TR 半导体放电管(TSS)封装:SMB。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2852K
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
截止电压:±3.3VMax
根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
极低电容:CJ=0.2pFtyp
低漏电流
低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便携式电子设备
笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害,适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备,紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WL2852K