江苏无刷直流电机MOSFET供应商中低压MOS产品

MOS管在电源设计中的关键参数解析

在追求尺寸小、成本低的电源设计过程中，低导通阻抗显得尤为重要。由于每个电源可能需多个ORing MOS管并行工作，设计人员常需并联MOS管以有效降低RDS（ON）。值得注意的是，在DC电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗。因此，具有低RDS（ON）值和大额定电流的MOS管，有助于设计人员减少电源中所需的MOS管数量。

除了 RDS（ON）之外，MOS管的选择过程中还有几个关键参数对电源设计人员至关重要。数据手册中的 安全工作区（SOA）曲线是一个重要的参考，它描绘了漏极电流与漏源电压之间的关系，从而界定了MOSFET能够安全工作的电流和电压范围。在ORing FET应用中，特别需要关注的是FET在“完全导通状态”下的电流传送能力。此外，设计热插拔功能时，SOA曲线将发挥更为关键的作用。

额定电流也是一个不容忽视的热参数。由于MOS管在服务器应用中始终处于导通状态，因此容易发热。结温的升高会导致RDS（ON）的增加，进而影响电源的性能。为了确保稳定的性能，设计人员需要关注MOS管的数据手册中提供的热阻抗参数，包括结到管壳的热阻抗（RθJC）以及从裸片表面到周围环境的热阻抗（RθJA）。 60V产品主要用于马达控制、BMS、UPS、汽车雨刷、汽车音响；江苏无刷直流电机MOSFET供应商中低压MOS产品

商甲半导体MOSFET产品击穿电压覆盖12V至1200V全范围，电流承载能力从50mA延伸至600A，无论是微型传感器供电还是大型工业设备驱动，都能匹配您的电路设计需求，为各类电子系统提供稳定可靠的功率控制。采用第三代沟槽栅工艺技术的商甲半导体MOSFET，导通电阻（RDS(on)）较传统产品降低35%以上，在175℃高温环境下仍能保持稳定的导电性能，有效减少功率损耗，大幅提升电能转换效率，特别适合对能效要求严苛的电源设备。针对高频开关应用场景，商甲半导体优化栅极结构设计，使栅极电荷（Qg）降低28%，开关速度提升40%，在DC-DC转换器、高频逆变器等设备中可减少开关损耗，助力系统实现更高的工作频率和功率密度。中国台湾650V至1200V IGBTMOSFET供应商推荐型号利用技术优势，以国内新技术代Trench/SGT产品作为首代产品；

MOSFET栅极电路的7个常用功能

MOSFET 是一种电压控制器件，具有开关速度快、高频性能、高输入阻抗、低噪声、低驱动功率、大动态范围和大安全工作区 (SOA) 等优点。开关电源、电机控制、电动工具等领域都用到它。栅极是 MOSFET比较薄弱的组件。如果电路构造不当，可能会导致设备甚至系统出现故障。

MOSFET栅极电路的常见功能如下：

1、去除耦合到电路中的噪声，提高系统的可靠性；

2、加速MOSFET的导通 ，降低导通损耗；

3、加速MOSFET的关断 ，降低关断损耗；

4、减少 MOSFET DI/DT，保护 MOSFET ，抑制EMI干扰；

5、保护电网，防止异常高压情况下击穿电网；

6、增加驱动能力，可以 在更小的信号下驱动MOSFET 。

开关电源中的MOS管需求

我们考虑 开关电源应用中的MOS管需求。在这种应用中，MOS管需要定期导通和关断，以执行开关功能。开关电源的拓扑结构多种多样，但基本降压转换器是一个典型的例子。它依赖两个交替工作的MOS管来在电感中存储和释放能量，从而为负载提供稳定的电源。 开关电源应用中，MOS管需频繁导通和关断，关键参数包括栅极电荷与导通阻抗等，需根据拓扑结构选择比较好。

栅极电荷与开关损耗

传统上，电源设计人员可能采用综合品质因数（栅极电荷QG与导通阻抗RDS(ON)的乘积）来评估MOS管。但值得注意的是，还有许多其他参数同样重要。栅极电荷是产生 开关损耗的关键因素。它表示MOS管栅极充电和放电所需的能量，以纳库仑（nc）为单位。值得注意的是，栅极电荷与导通阻抗RDS(ON)在半导体设计和制造中是相互关联的。通常，较低的栅极电荷值会伴随着稍高的导通阻抗参数。 PFC电路中，关键器件是MOSFET，选型要点为高耐压、低栅极电荷和低反向恢复电荷（Qrr）。

碳化硅MOS管：电力电子领域的革0命性力量

碳化硅MOS管（SiC MOSFET）作为第三代半导体的代0表，凭借其耐高压、耐高温、高频高效的特性，正在重塑新能源、工业电源、轨道交通等领域的电力电子系统架构。

碳化硅MOS管的优势源于材料与结构的协同作用，具体表现为：

高频高效：

开关频率可达1 MHz以上（硅基IGBT通常<20 kHz），明显降低电感、电容体积，提升功率密度。

导通电阻低至毫欧级（如1200V器件低2.2 mΩ），减少导通损耗。

耐压与高温能力：

耐压范围覆盖650V-6500V，适用于高压场景（如电动汽车800V平台）。

结温耐受300℃，高温下导通电阻稳定性优于硅器件（硅基MOSFET在150℃时电阻翻倍）。

损耗优化：

无IGBT的“电流拖尾”现象，关断损耗（Eoff）降低90%。

SIC碳化硅MOS管就选商甲半导体，专业供应商，研发、生产与销售实力强。 为 MOSFET 、IGBT、FRD产品选型提供支持。江苏无刷直流电机MOSFET供应商中低压MOS产品

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如何基于MOSFET的工作电压与电流特性进行选型

一、工作电压选型关键要素

1.确定最大工作电压：

首要任务是精确测量或计算电路在正常及潜在异常工况下，MOSFET漏源极（D-S）可能承受的最大电压。例如，在开关电源设计中，需综合考虑输入电压波动、负载突变等因素。

2.选择耐压等级：

所选MOSFET的额定漏源击穿电压（VDSS）必须高于电路最大工作电压，并预留充足的安全裕量（通常建议20%-30%）。例如，若最大工作电压为30V，则应选择VDSS≥36V（30V×1.2）的器件，以增强抗电压波动和浪涌冲击的能力。

3.评估瞬态电压风险：

对于存在瞬间高压的电路（如切换感性负载产生反向电动势），满足稳态耐压要求不足。需确保MOSFET具备足够的瞬态电压承受能力，必要时选用瞬态耐压性能更强的型号。 江苏无刷直流电机MOSFET供应商中低压MOS产品

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发TrenchMOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场，并获评2024年度科技型中小企业。无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；