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MOSFET的导通电阻RDS(ON)及其正温度特性

什么是导通电阻？

RDS(ON)是MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻值，是决定系统效率的“隐形心脏”。它看似微小，却直接影响设备发热、能耗甚至寿命。

导通电阻的组成部分

在MOSFET中，导通电阻RDS(ON)可以分为以下几个部分：

N-plus区电阻（R_(N+)）：位于源区下方，用于提供低阻抗路径。在高压功率MOSFET中可以忽略不计。

沟道电阻（R_CH）：当栅极电压超过阈值电压时形成的导电通道的电阻。

积累层电阻（R_A）：在沟道底部形成的一薄层高掺杂区域的电阻。

JFET区电阻（R_J）：N–Epi，P-bodies之间的区域称为JFET区域，因为P-bodies区域的作用类似于JFET的栅极区域。该区域的阻力是RJ。

漂移区电阻（R_D）：从P体正下方到衬底顶部的电阻称为RD为耐压设计的一部分，特别是在高压MOSFET中占比较大。

衬底电阻（R_S）：在高压MOSFET中可以忽略不计。但是在击穿电压低于50V的低压MOSFET中，它会对RDS(ON)产生很大影响。 功率密度大幅提升且更低功耗，让其在广泛应用中更高效。重庆焊机MOSFET供应商哪家公司好

MOSFET的导通电阻RDS(ON)及其正温度特性

正温度系数

源/漏金属与N+半导体区域之间的非理想接触，以及用于将器件连接到封装的引线，都可能产生额外的电阻。RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高而增加。这是因为空穴和电子的迁移率随着温度的升高而降低。P/N沟道功率MOSFET在给定温度下的RDS(ON)，可通过公式估算。

这是MOSFET并联稳定性重要特征。当MOSFET并联时RDS(ON)随温度升高，不需要任何外部电路的帮助即可获得良好的电流分流。

正温度系数的注意事项

尽管RDSON的正温度系数使得并联容易，在实际使用中还需要注意到以下问题：栅源阈值电压VTH及CGD、CGS如有不同会影响到动态均流。应尽可能使电路布局保持对称。同时防止寄生振荡，如在每个栅极上分别串联电阻。RDSON的正温度特性也说明了导通损耗会在高温时变得更大。故在损耗计算时应特别留意参数的选择。 广东焊机MOSFET供应商技术指导公司为一家功率半导体设计公司，专业从事各类MOSFET、IGBT产品的研发、生产与销售。

半导体元器件都有哪些种类?

1. 二极管  

二极管可能是基础的半导体元件了。你可以把它想象成一个电子的“单行道”，电流只能从一个方向流过它。这种特性使二极管非常适合用于电流的整流，即将交流电转换为直流电。应用于充电器和电源适配器中。

2. 晶体管 

晶体管能够放大电信号，也可以作为开关使用。从电视、收音机到计算机的处理器，晶体管无处不在。

3. 场效应管  

场效应管是一种特殊类型的晶体管，它通过电场来控制电流的流动。因为场效应管的开关速度快，功耗低，所以它们在数字电路和计算机技术中非常受欢迎。例如，现代计算机的CPU和内存中就经常使用场效应管。  

4. 光电器件  

这类器件包括光电二极管、光电晶体管、光电阻等。它们可以根据光的强度来调整电流。比如，自动调节亮度的屏幕就利用了光电器件来感应周围光线的变化。  

5. 功率半导体  

功率半导体是用来处理高电压和大电流的半导体元器件。它们常用在电力转换和电动机控制等领域。

6. 集成电路 

集成电路可以说是现代电子技术的基石，从智能手机到家用电器，从汽车到航天器，无一不依赖于它们的复杂功能。

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