广东常规ESD保护二极管选型指南

      低动态电阻（RDYN）低钳位电压（VC）和***峰值电压ESD保护二极管吸收不同极性ESD脉冲工作原理 ，ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压（VBR）时，漏电流增加。电压接近VBR时，漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流（IR）随反向电压（VR）成指数增长。选择VRWM高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。二极管在正常工作期间不导通。此时，pn结交界面形成耗尽层，耗尽层在电气上起电容的作用。因此，除非在考虑被保护信号线频率的基础上，正确选择ESD保护二极管，否则信号质量会下降。温度循环测试：评估二极管在不同温度下的性能稳定性。广东常规ESD保护二极管选型指南

       ESD保护二极管是一种齐纳二极管。当二极管反向偏置时，有很少的电流从阴极流向阳极。然而，当反向偏压超过某一点（称为反向击穿电压）时，反向电流突然增加。随着反向偏压增加，无论二极管流过的电流大小，二极管都会形成恒定电压区域。利用齐纳二极管击穿电压（齐纳电压）特性可以构成恒压稳压器，抑制浪涌电压。齐纳稳压二极管用于保持恒定电压，而ESD保护二极管用于吸收ESD能量，保护电路。反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。安徽新型ESD保护二极管选型ESD保护二极管”用于便携式电子设备：如智能手机、平板电脑等，在生产和使用过程中容易受到静电的影响。

SR08D3BL型号和SR12D3BL型号的优势也有所不同。SR08D3BL型号的优势在于其响应速度快，可以在纳秒级别内响应ESD事件，有效保护电路。此外，SR08D3BL型号的封装体积小，适合在空间受限的电路中使用。而SR12D3BL型号的优势在于其电压容忍度高，可以在更高的电压下工作，同时其ESD保护效果也非常好。无论是SR08D3BL型号还是SR12D3BL型号，它们都具有以下优点：一是响应速度快，可以在纳秒级别内响应ESD事件，保护电路；二是具有低电容和低电感，不会对电路的高频性能产生影响；三是具有良好的ESD保护效果，可以有效地保护电路免受静电放电的损害。

        ESD保护二极管通常放在信号线与GND之间。因此，这些二极管在稳态下充当电容器。由于它们的电容和信号线的电阻组成低通滤波器（LPF），因此ESD保护二极管会造成插入损耗（IL），降低信号质量，取决其速度（特别是USB 3.0和USB 3.1等高速信号质量）。当浪涌或外部噪声通过连接器进入系统时，对后面器件（如IC）的影响很大程度上取决于是否有ESD保护二极管。没有ESD保护二极管，浪涌电流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或损坏。如果电路有ESD保护二极管，大部分浪涌电流通过它们分流到GND。ESD保护二极管动态电阻（Rdyn）表示浪涌电流分流到GND的难易程度。低动态电流ESD保护二极管能将更多浪涌电流分流到GND。这种二极管也有助于降低动态电阻，即端子之间电阻的电压（称为钳位电压）。ESD保护二极管动态电阻低，可减小流入受保护器件（DUP）的浪涌电流，从而为DUP提供更可靠保护。高阻抗：在正常工作条件下，ESD保护二极管呈现高阻抗状态，对电路的影响微乎其微。

      反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。当pn结反向偏置时，耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此，由于量子隧穿效应，电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。齐纳击穿如图1.3所示。当pn反向偏置时，少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速，获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离，成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞，产生更多的电子-空穴对，导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。在电子设备的使用和制造过程中，人体、设备、工具等都可能积累静电。杭州常规ESD保护二极管SR12D3BL售价

寿命测试：确保二极管在长期使用中保持稳定的性能。广东常规ESD保护二极管选型指南

      ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）保护二极管***适用于各种需要防止静电放电对电子设备造成损害的场合。以下是一些主要的应用场合：集成电路（IC）和半导体器件：在IC制造、封装、测试以及**终产品组装过程中，ESD保护二极管能够保护脆弱的芯片不受静电冲击。特别是针对高集成度、低功耗和高速的IC，ESD保护二极管的作用尤为重要。消费电子设备：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、相机、耳机等，这些设备在日常使用中容易遭受静电放电的影响。广东常规ESD保护二极管选型指南