ESD保护二极管考虑到要保护的信号线的极性,有必要选择单向或双向ESD保护二极管。不同类型的二极管用于*正向摆动的未调制数字信号(例如,0V(逻辑低电平)与5V(逻辑高电平)之间),以及电压可正可负的无偏压模拟信号。双向ESD保护二极管可用于高于和低于GND范围的信号,如下图所示。(单向和双向二极管均可用于电压*为正或*为负的信号。)在发生ESD冲击时,ESD电流同时流入ESD保护二极管和受保护器件(DUP)。这种情况下,减少流入受保护器件的电流(即增加分流到ESD保护二极管的电流)是十分重要的。电源端口:电源端口是静电放电的常见入口,ESD保护二极管在这里发挥着重要作用。广东新型ESD保护二极管SR24D3BL型号售价
SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三个型号的区别主要在于电压等级的不同。同时,它们都具有低电容和快速响应速度的特点,能够有效保护电子设备免受ESD损害。因此,在选择ESD保护二极管时,需要根据具体应用场景来选择合适的型号,以达到保护效果。在使用ESD保护二极管时,还需要注意以下几点:正确安装:ESD保护二极管应正确安装在需要保护的信号线上,以确保其能够有效地工作。合理布局:在电路设计中,应合理布局ESD保护二极管,以避免信号线之间的干扰。广州常规ESD保护二极管SR08D3BL售价多层二极管:由多个二极管层叠而成,提供更高的ESD保护能力。
由于ESD保护二极管反向连接,正常工作时,其两端电压低于反向击穿电压(VBR)。因此,ESD保护二极管正常工作时不导通。此时,pn结形成耗尽层,二极管起电容器作用。选择ESD保护二极管时,以下三个注意事项适用于正常工作状态:ESD保护二极管反向击穿电压(VBR)是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压)ESD保护二极管总电容(CT)相对于受保护信号线的频率是否足低,信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位),当静电放电(ESD)进入系统时,ESD保护二极管要么导通,要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿,负ESD电击时导通吸收ESD能量。
信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位)考虑到要保护的信号线的极性,有必要选择单向或双向ESD保护二极管。不同类型的二极管用于*正向摆动的未调制数字信号(例如,0V(逻辑低电平)与5V(逻辑高电平)之间),以及电压可正可负的无偏压模拟信号。双向ESD保护二极管可用于高于和低于GND范围的信号,如下图所示。(单向和双向二极管均可用于电压*为正或*为负的信号。)当静电放电(ESD)进入系统时,ESD保护二极管要么导通,要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿,负ESD电击时导通吸收ESD能量。防止ESD脉冲损坏被保护器件(DUP)在高速信号传输线路中,如 USB 接口ESD 保护二极管可以防止静电放电产生的电磁干扰对信号的影响。
ESD保护二极管总电容(C(T))相对于受保护信号线的频率是否足够低:图3.3显示ESD保护二极管的等效电路。二极管在正常工作期间不导通。此时,pn结交界面形成耗尽层,如图3.3所示。耗尽层在电气上起电容的作用。因此,除非在考虑被保护信号线频率的基础上,正确选择ESD保护二极管,否则信号质量会下降。图3.4显示了总电容(C(T))分别为5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保护二极管插入损耗特性。电容大的二极管插入损耗高(如图所示,特性曲线负值变化较大),从而限制了可使用的频率范围。例如,在Thunderbolt(带宽为10Gbps,相当于5GHz的频率)的情况下,电容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保护二极管插入损耗小,几乎不会影响二极管传输的信号,而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大,通过二极管的信号明显衰减。在电子设备的使用和制造过程中,人体、设备、工具等都可能积累静电。广东定制ESD保护二极管SR15D3BL多少钱
ESD3.3V02D-SLC:属于 3V 系列的低电容 ESD 静电保护二极管阵列。广东新型ESD保护二极管SR24D3BL型号售价
随着电子技术的不断发展,对ESD保护二极管的要求也越来越高。未来的ESD保护二极管将朝着更高性能、更小体积、更低寄生电容的方向发展。同时,随着新材料和新工艺的应用,ESD保护二极管的性能将得到进一步提升,为电子设备的安全运行提供更加可靠的保障。ESD保护二极管在以下情况下使用比较合适:数据传输接口:如USB、HDMI、Ethernet和Serial等接口,常暴露在外部环境中,易受到静电放电的影响。ESD保护二极管可以有效保护这些接口,防止静电放电造成的电压瞬变对内部电路的破坏。广东新型ESD保护二极管SR24D3BL型号售价