ESD保护二极管电容为0.12pF至100pF。浪涌保护齐纳二极管具有宽结,以便吸收大量浪涌能量。这类二极管的总电容为100pF至600pF,适用于雷电感应和开关浪涌的保护。表1.2显示ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管适用于不同类型过压浪涌脉冲:保护二极管(ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管)与稳压二极管的区别:保护二极管是一种齐纳二极管。齐纳二极管不仅可以用作保护二极管,还可以用作稳压器。保护二极管专门用于保护电路免受ESD和其他瞬变脉冲的影响。相比之下,用于稳压的齐纳二极管击穿模式下保持导通。ESD静电保护二极管已应用于多个客户的电子设备中,如手机、电视、电脑、数码相机、汽车电子、医疗设备等。广州常规ESD保护二极管SR18D3BL型号怎么样
在电子设备中,ESD保护二极管通常被放置在容易受到静电放电冲击的部位,如集成电路的接口处。当带有电荷的物体(如人类)靠近或接触这些接口时,ESD电流会释放在PCB上,对电路造成损害。而ESD保护二极管则能将这部分电流引向地面,从而保护系统免受损害。ESD保护二极管分为双向和单向两种类型。双向二极管具有正负对称的I-V曲线和工作电压、击穿电压,可以支持正负信号。而单向二极管则只能支持正向信号,不过相比双向而言,单向二极管对于负压的保护更好。在选择ESD保护二极管时,需要根据具体的应用场景和需求来选择合适的类型。ESD保护二极管SR15D3BL怎么样尽量减少ESD保护二极管和受保护线路以及GND之间的串联走线电感。
在发生ESD冲击时,ESD电流同时流入ESD保护二极管和受保护器件(DUP)。这种情况下,减少流入受保护器件的电流(即增加分流到ESD保护二极管的电流)是十分重要的。目前,ESD保护二极管数据表含有动态电阻(R(DYN))。R(DYN)是反向导通模式下V(F)–I(F)曲线的斜率。如果发生ESD冲击,给定电压下,低动态电阻ESD保护二极管可以传输更大电流。从连接器端看,ESD保护二极管和受保护器件的阻抗可视为并联阻抗。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流,减少流入受保护器件的电流,从而降低损坏的可能性。
反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。当pn结反向偏置时,耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此,由于量子隧穿效应,电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。齐纳击穿如图1.3所示。当pn反向偏置时,少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速,获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离,成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞,产生更多的电子-空穴对,导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。不要将任何电路板走线与可能引入ESD脉冲的信号走线并行,尤其是ESD抗扰度低的走线。
ESD保护二极管是一种齐纳二极管,专门用来保护电路免受过压浪涌,特别是静电放电(ESD)事件的影响。ESD保护二极管主要用于ESD短脉冲,以及脉冲宽度几微秒以下的雷电感应和开关浪涌保护。专门用于脉冲宽度大于ESD浪涌保护的齐纳二极管,称为浪涌保护齐纳二极管。这些齐纳二极管适用于雷电感应和开关浪涌引起的、脉冲宽度大于几微秒的过压脉冲电路保护。ESD保护二极管专门用于过压浪涌,特别是ESD放电电路保护,而不会影响信号线波形。ESD保护二极管电容为0.12pF至100pF。浪涌保护齐纳二极管具有宽结,以便吸收大量浪涌能量。这类二极管的总电容为100pF至600pF,适用于雷电感应和开关浪涌的保护。在电子设备的使用和制造过程中,人体、设备、工具等都可能积累静电。深圳ESD保护二极管SR15D3BL多少钱
ESD二极管可以用于保护直流电源线和交流电源线,避免静电放电对电源管理IC和其他关键电源电路的影响。广州常规ESD保护二极管SR18D3BL型号怎么样
高低钳位电压(VC)ESD保护二极管的波形效果。这些波形采集于受保护器件(DUP)输入端。具有低VC的ESD保 护二极管在30ns和60ns处钳位电压低于具有高VC的ESD保护二极管。ESD波形曲线下的面积越小,受保护器件(DUP)受到的损坏越小。因此,具有低VC的ESD保护二极管可提供更好的ESD脉冲保护。此外,一些ESD保护二极管在ESD进入后不会立即响应。因此,如果ESD脉冲***峰值电压高于ESD保护二极管的VC,则可能施加到受保护器件,造成故障或破坏。ESD保护二极管响应速度高于其他类型保护器件。此外,东芝正在优化芯片工艺和内部器件结构,进一步降低***个峰值电压,从而在初始阶段对ESD峰值电压提供更可靠的保护。广州常规ESD保护二极管SR18D3BL型号怎么样