广州新型ESD保护二极管SR12D3BL报价

       保护二极管是一种齐纳二极管。齐纳二极管不仅可以用作保护二极管，还可以用作稳压器。保护二极管专门用于保护电路免受ESD和其他瞬变脉冲的影响。相比之下，用于稳压的齐纳二极管击穿模式下保持导通。保护二极管用作浪涌保护电压钳。这类二极管在电路施加电压过大时导通。当小电流（IZ）从阴极（K）流到阳极（A）时，二极管两端的电压可用作恒压源（VZ）。可用功率受二极管允许功耗及安装板允许功耗的限制。ESD保护二极管插在信号线与GND之间，保护受保护器件（DUP）免受电压浪涌的影响。正常工作模式下（即没有ESD浪涌情况），除极少量电流（IR）流过二极管使其反向击穿电压（VBR）高于信号线电压之外，几乎没有电流流过ESD保护二极管。当高于反向击穿电压 （VBR）的浪涌电压进入信号线时，ESD保护二极管将大量电流分流到GND，从而抑制浪涌电压低于反向击穿电压（VBR）。齐纳二极管在超过其齐纳电压时导通，用于限制电压峰值。广州新型ESD保护二极管SR12D3BL报价

       TVS二极管（ESD保护二极管）的主要电气特性：正常工作状态（无ESD事件）的主要特性由于ESD保护二极管反向连接，正常工作时，其两端电压低于反向击穿电压（V(BR)）。因此，ESD保护二极管正常工作时不导通。此时，pn结形成耗尽层，二极管起电容器作用。选择ESD保护二极管时，以下三个注意事项适用于正常工作状态：正常工作状态（无ESD事件）的主要特性。ESD保护二极管反向击穿电压（V(BR)）是否充分高于被保护信号线的振幅（最大电压），ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压（V(BR)）时，漏电流增加。电压接近V(BR)时，漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流（I(R)）随反向电压（V(R)）成指数增长。选择V(RWM)高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。广东定制ESD保护二极管SR15D3BL型号售价静电放电测试：模拟静电放电事件，测试二极管的响应时间和保护能力。

       当pn结反向偏置时，耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此，由于量子隧穿效应，电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。当pn反向偏置时，少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速，获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离，成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞，产生更多的电子-空穴对，导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。

      SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三个型号的区别主要在于电压等级的不同。同时，它们都具有低电容和快速响应速度的特点，能够有效保护电子设备免受ESD损害。因此，在选择ESD保护二极管时，需要根据具体应用场景来选择合适的型号，以达到保护效果。在使用ESD保护二极管时，还需要注意以下几点：正确安装：ESD保护二极管应正确安装在需要保护的信号线上，以确保其能够有效地工作。合理布局：在电路设计中，应合理布局ESD保护二极管，以避免信号线之间的干扰。DW05DLC-B-S：东沃品牌的型号，工作电压为 5V，保护线路数为单路。

       ESD保护二极管是一种用于抑制静电感应和瞬时过压的半导体器件，在电路中起到了关键的保护作用。它能够防止由于雷击、静电放电或电弧引起的电子元器件损坏，广泛应用于计算机系统、通信设备以及工业控制设备等。这种器件具有体积小、重量轻、性能稳定等特点，是现代电子设备中不可或缺的一部分。ESD保护二极管的工作原理基于其内部的PN结结构。当外部电压超过二极管的额定电压时，PN结会被击穿，形成导电通道，将静电放电的能量导入地面，从而保护电路元件免受损坏。在静电放电结束后，二极管会自动恢复高阻态，防止电流流过，确保电路的正常运行。采用低电容二极管，可以很好地降低静电放电的电压峰值。深圳常规ESD保护二极管SR12D3BL型号多少钱

高阻抗：在正常工作条件下，ESD保护二极管呈现高阻抗状态，对电路的影响微乎其微。广州新型ESD保护二极管SR12D3BL报价

      ESD保护二极管总电容（C(T)）相对于受保护信号线的频率是否足够低：图3.3显示ESD保护二极管的等效电路。二极管在正常工作期间不导通。此时，pn结交界面形成耗尽层，如图3.3所示。耗尽层在电气上起电容的作用。因此，除非在考虑被保护信号线频率的基础上，正确选择ESD保护二极管，否则信号质量会下降。图3.4显示了总电容（C(T)）分别为5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保护二极管插入损耗特性。电容大的二极管插入损耗高（如图所示，特性曲线负值变化较大），从而限制了可使用的频率范围。例如，在Thunderbolt（带宽为10Gbps，相当于5GHz的频率）的情况下，电容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保护二极管插入损耗小，几乎不会影响二极管传输的信号，而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大，通过二极管的信号明显衰减。广州新型ESD保护二极管SR12D3BL报价