SR18D3BL型号是一种18V的ESD保护二极管,其峰值脉冲电流为5A,反向漏电流为0.1μA。该型号采用SOD-323封装,体积小、重量轻,适合用于小型电子设备中。SR18D3BL型号的主要特点如下:工作电压范围广,可适用于多种电路,高峰值脉冲电流,能有效保护电路免受静电放电的影响,低反向漏电流,不会对电路产生过大的影响。SR18D3BL型号适用于需要保护的电路电压在18V以下的场景,如手机、数码相机、MP3等小型电子设备。SR24D3BL型号是一种24V的ESD保护二极管,其峰值脉冲电流为5A,反向漏电流为0.1μA。采用低电容二极管,可以很好地降低静电放电的电压峰值。定制ESD保护二极管SR08D3BL型号怎么样
ESD保护二极管数据表含有动态电阻(RDYN)。RDYN是反向导通模式下VF–IF曲线的斜率。如果发生ESD冲击,给定电压下,低动态电阻ESD保护二极管可以传输更大电流。从连接器端看,ESD保护二极管和受保护器件的阻抗可视为并联阻抗。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流,减少流入受保护器件的电流,从而降低损坏的可能性。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流到地(GND),从而减少流入受保护器件的电流。因此,ESD保护二极管有助于防止手保护啊器件因ESD冲击而损坏。传输线脉冲(TLP)测试用于纳秒级宽度短脉冲,根据随时间变化的电流-电压关系可研究二极管的电流-电压(I-V)特性。下图中,TLP I和TLP V分别电流和电压。深圳星河微/SReleicsESD保护二极管SR12D3BL型号近期价格采用多级保护电路,可以很好地提高保护效果。
SR24D3BL型号的主要特点有以下几点:工作电压范围广,可适用于多种电路;高峰值脉冲电流,能有效保护电路免受静电放电的影响,低反向漏电流,不会对电路产生过大的影响。SR24D3BL型号适用于需要保护的电路电压在24V以下的场景,如电视机、电脑、路由器等小型电子设备。SR12D3BL型号是一种12V的ESD保护二极管,其的峰值脉冲电流为5A,反向漏电流为0.1μA。该型号采用SOD-323封装,体积小、重量轻,适合用于小型电子设备中。工作电压范围广,可适用于多种电路。
反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。当pn结反向偏置时,耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此,由于量子隧穿效应,电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。齐纳击穿如图1.3所示。当pn反向偏置时,少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速,获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离,成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞,产生更多的电子-空穴对,导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。低漏电流:即使施加工作峰值反向电压,也只有小于规定漏电流的电流流过,确保电路的稳定性。
选择正确的ESD保护二极管,请注意第3节介绍的主要电气特性。根据被保护信号线的最大电压,选择具有相应反向击穿电压(VBR)或工作峰值反向电压(VRWM)的ESD保护二极管。跨GND电平信号(如模拟信号),使用双向ESD保护二极管。根据被保护信号线的比较大频率,选择总电容(CT)合适的的ESD保护二极管。选择动态电阻(RDYN)尽可能低的ESD保护二极管。根据所需VRWM选择**小钳位电压(VC)的ESD保护二极管。务必选择VC低于受保护器件耐受电压的二极管。SR12D3BL型号的额定工作电压为12V,额定放电电流为5A。标准ESD保护二极管SR12D3BL多少钱
在PCB布局时,应将ESD保护二极管靠近ESD进入点放置,如靠近连接器。定制ESD保护二极管SR08D3BL型号怎么样
低钳位电压(V(C))和***峰值电压:采用IEC 61000-4-2规定ESD波形时,高低钳位电压(V(C))ESD保护二极管的波形效果。这些波形采集于受保护器件(DUP)输入端。具有低V(C )的ESD保护二极管在30ns和60ns处钳位电压低于具有高V(C)的ESD保护二极管。ESD波形曲线下的面积越小,受保护器件(DUP)受到的损坏越小。因此,具有低V(C)的ESD保护二极管可提供更好的ESD脉冲保护。此外,一些ESD保护二极管在ESD进入后不会立即响应。因此,如果ESD脉冲***峰值电压高于ESD保护二极管的V(C),则可能施加到受保护器件,造成故障或破坏。ESD保护二极管响应速度高于其他类型保护器件。此外,东芝正在优化芯片工艺和内部器件结构,进一步降低***个峰值电压,从而在初始阶段对ESD峰值电压提供更可靠的保护。定制ESD保护二极管SR08D3BL型号怎么样