交流高压AC220降压12VDC电压电源芯片，KP1505X高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP1505X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP1505X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP1505X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。这款芯片适用于MUC供电，线路简单。江西交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片
在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)，以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时，LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开，直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点，允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点，称为反向电流。在这种情况下，开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定，实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器，低纹波，高效率，电路简洁。安徽低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。
如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。
220V降压3.3V瞬间450mA电流，专门针对WIFI模块供电设计的芯片，满足各种应用要求，低待机功耗：芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35026集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、输出过压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护和过载保护等。主要特点•固定输出3.3V•快速动态响应，满足WIFI供电要求•空载待机功耗低于20mW•集成续流二极管•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•比较高45kHz开关频率•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-4提升线性调整 率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。
输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。高压启动电路和**待机功耗 (<50mW)。AC高压220V降24V非隔离BUCK电源芯片
内部功率MOSFET 漏极，当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。江西交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片
220V转5V电源芯片高压BUCK电路，给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。江西交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片
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