集成了内部软启动功能，以减小芯片启动上电过程中的冲击电流和保证输出电压平稳上升。当VIN 高于 UVLO 阈值时，输出电压从EN上升沿延迟440μs (典型值) 后开始上升。当芯片启动时，内部的软启动电路产生一个从0V 开始上升的软启动电压(SS)。当SS 低于内部参考电压(VREF) 时，SS 覆盖 VREF，因此电压误差积分器和控制比较器使用SS 作为参考电压，输出电压跟随SS 平稳上升。当SS 升到 VREF 电压时，VREF 重新获得控制，参考电压稳定为VREF，输出电压随之稳定在设定值VOUT，软启动结束。良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理
220V降压非隔离固定12V输出、高性能低成本离线式PWM控制功率开关KP322X系列是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP322X内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP322X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和VDD过压保护等湖北交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片库存这款芯片适用于WIFI模块供电。
芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。
输出电压可调，高压交流220V非隔离BUCK电路芯片，非常适用于智能照明，智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。
芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时，上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到，当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时，额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比，实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。高压启动电路和**待机功耗 (<50mW)。交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片原厂
在此时间内过流比较器不翻转且高压 MOSFET 不允许关断。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理
输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。湖北大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片代理
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