所述柜体的内壁固定有散热扇，且散热扇的顶部固定有竖杆，所述竖杆的内部设置有转轴，且转轴的外壁固定有太阳能电板。推荐的，所述防震块等间距分布于缓冲块的外壁，且缓冲块通过***凹槽与柜体构成滑动结构。推荐的，所述缓冲块关于收纳箱的中轴线对称设置，且收纳箱与柜体的中轴线重合。推荐的，所述托板与滑块之间为焊接连接，且滑块与孔洞构成卡合结构...

  是一种非常直观...发表于2018-01-1509:38•700次阅读为物联网未来发声——物联网微功率频谱应用研讨会***上午，来自全国各地及海外的一百多家物联网行业企业、用户单位和科研机构**齐聚北京，共同参与了“为...发表于2018-01-1217:20•1299次阅读功率和功耗一样吗_功耗和功率的区别功率是指物体在单位时间...

  “锂离子动力电池有...发表于2018-01-3008:27•5358次阅读电磁炉igbt驱动电路图绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一...发表于2018-01-2614:35•716次阅读并联型功率优化方法的原理和适用条件，并用单开关拓...传统方案大多针对组串及组件失配问...

  TA＝125°C图7其他公司的IGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的18A峰值图8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT开关电压和dV/dt感生电流的dV/dt感生电流的减小清楚说明单正向栅驱动设计的优胜之处。但在这个测试中，Co-Pack二极管电流的影响并没有完全计算在内。为了只显示出IGBT对整体电流...

  降低本征JFET的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。对两种1200VNPTIGBT进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是IR公司的NPT单正向栅驱动IRGP30B120KD-E。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56?下驱动时，dV/dt感生电流很大。比较寄生电容的数据，IR器件的三种电容也有减小：...

  考虑到上电冲击，K取2左右；电动压缩机启动瞬间峰值电流过大，K取7~8左右；对于驱动电机回路，K取；此处K值取值见表二：表二K值取值表Kt：温度修正系数，对于电动汽车，一般环境温度比较高可达60℃，参照图六温度修正系数表，Kt=；图六温度修正系数曲线图Ke：连接器件热传导系数，按照每个回路的电流，按照，参照图七连接器件热传导系数曲...

  本文介绍了如何实现具有较大信号输出的硅应变计...发表于2017-06-0714:12•518次阅读负反馈电阻在运放电路中有什么作用？射频电阻并联同...在射频和微波频段使用的高功率电阻，大多数使用在Wilkinson功分器或者合路器产品中。为得到**好的...发表于2017-06-0709:01•1724次阅读什么是泄漏电阻？泄...

  本发明涉及一种熔断器，具体涉及一种快速熔断器。背景技术：熔断器也被称为保险丝，它是一种安装在电路中，保证电路安全运行的电器元件。熔断器其实就是一种短路保护器，***用于配电系统和控制系统，主要进行短路保护或严重过载保护。随着技术先进的发展，对***熔断器的需求一直在增加。熔断器的熔断片外套设有保护套，通常现有熔断器的保护套抗压性、...

  您所在位置：网站首页>海量文档>理工科>能源/化工富士IGBT应用手册.pdf92页本文档一共被下载：次,您可全文**在线阅读后下载本文档。下载提示1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。3.登录后可充值，立即自动返金...

  所述翘边垫片是由外展边2-2-1和中心片2-2-2组成的一体结构，所述外展边向左侧外展，与中心片形成15～20°的夹角；所述中心片的一侧设置有均匀间距的条形防滑突起2-2-3，对安装好的熔丝起防滑作用，所述中心片中间设置有预留孔，以便螺杆穿入其中，所述预留孔孔径比螺杆外径大2mm。翘边防滑垫在使用时是将两片翘边垫片呈镜面对称放置，...

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  晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界...