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    是一种非常直观...发表于2018-01-1509:38•700次阅读为物联网未来发声——物联网微功率频谱应用研讨会***上午，来自全国各地及海外的一百多家物联网行业企业、用户单位和科研机构**齐聚北京，共同参与了“为...发表于2018-01-1217:20•1299次阅读功率和功耗一样吗_功耗和功率的区别功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值...发表于2018-01-1214:43•1024次阅读浪涌电压防护_电解电容浪涌电压措施在电子设计中，浪涌主要指的是电源（只是主要指电源）刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路本身的非线...发表于2018-01-1111:11•301次阅读什么是浪涌电压_浪涌电压产生原因浪涌也叫突波，就是超出正常电压的瞬间过电压，一般指电网中出现的短时间象“浪”一样的高电压引起的大电流...发表于2018-01-1111:09•686次阅读解析充电IC中的功率管理策略：动态路径管理***MPS小编要和大家聊一聊充电IC中的功率管理策略：动态路径管理。当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块。浙江有什么模块批发

    从而使得本实施例可应用与高频场景。本说明书中的“半导体衬底表面内”是指由半导体衬底表面向下延伸的一定深度的区域，该区域属于半导体衬底的一部分。其中，半导体衬底可以包括半导体元素，例如单晶、多晶或非晶结构的硅或硅锗，也可以包括混合的半导体结构，例如碳化硅、合金半导体或其组合，在此不做限定。在本实施例中的半导体衬底推荐采用硅衬底，在本实施例中以n型衬底为例进行说明。推荐地，***氧化层21厚度为1000-1200a。推荐地，第二氧化层22厚度为3000-5000a。进一步地，两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区，所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反，***掺杂区为pw导电层。进一步地，在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反，两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧并且与沟槽栅结构接触,第二掺杂区为n+源区，pw导电层和n+源区与发射极金属接触。进一步地，所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极，所述集电极设置在比较低层。图5示出了本实施例提供的一种沟槽栅结构制作方法，与现有技术的制作基本相同，区别在于以下：s101：在沟槽内沉积第二氧化层22。重庆模块类型IGBT模块还具有低功耗、高可靠性、高效率、低噪声等优点。

    是否受热损坏。（如果损坏已变形或烧熔）6．检测芯片8316是否击穿：测量方法：用万用表测量8316引脚，要求1和2；1和4；7和2；7和4之间不能短路。7．IGBT处热敏开关绝缘保护是否损坏。按键动作不良的检测测量CPU口线是否击穿：二、按键动作不良用万用表二极管档测量CPU极与接地端，均有，万用表红笔接“地”；黑笔接“CPU每一极口线”。否则，说明CPU口线击穿。三、功率不能达到到要求1．线圈盘短路：测试线圈盘的电感量：PSD系数为L=157±5µH，PD系列为L=140±5µH。2．锅具与线圈盘距离是否正常。3．锅具是否是指定的锅具。四、检查各元气件是否松动，是否齐全。装配后不良状况的检查：1.不加热：检查互感器是否断脚。2.插电后长鸣：检查温度开关端子是否接插良好。楼3.无法开机：检查热敏电阻端子是否接插良好。4.无小物检知（不报警）：检查电阻R301~R307是否正常。R301~R302为68KΩR303~R306为130KΩR307为Ω5.风扇不转；检查三极管Q2是否烧坏。（一般烧坏三极管引脚跟部已发黄；也可用万用表二极管档测量）[本帖***由严朝基于2009-1-1209:51编辑]赞赏共11人赞赏本站是提供个人知识管理的网络存储空间，所有内容均由用户发布，不**本站观点。如发现有害或侵权内容。

    发表于2018-01-0215:42•665次阅读国产大功率IGBT驱动技术研究报告发表于2018-01-0215:00•327次阅读纯电感电路中电压与电流的关系解析本文主要介绍了电感的概念与电感器的结构，其次详细的说明了在纯电感电路中电压与电流间的数量关系以及在交...发表于2017-12-2616:52•1515次阅读电压220v与380v的区别220V和380V的电压有什么区别？本文为大家带来具体介绍。发表于2017-12-2310:18•469次阅读国家电网充电桩怎么用？国家电网充电桩功率多少？国家电网充电桩用法使用指南...国家电网充电桩功率交流充电桩一般是16A@220V（...发表于2017-12-2015:36•2853次阅读电气设备换了肿么办？看完这文也会维修了直观法直观法是根据电器故障的外部表现，通过看、闻、听等手段，检查、判断故障的方法。（1）检查步骤：...发表于2017-12-1918:30•762次阅读三相电总功率计算公式解读功率因数是表示耗用有功、无功电流的比值，因为电机是需要有功和无功电流激磁运行的，电机满载时，耗用有...发表于2017-12-1609:47•1987次阅读手机输出功率检测反馈控制电路设计为了保证系统的容量及互操作性。聚苯硫醚PPS是一种白色、坚硬的聚合物类，具有良好化学结晶度的特种热塑性工程塑料.

    脉冲的幅值与栅驱动电路阻抗和dV/dt的实际数值有直接关系。IGBT本身的设计对减小C和C的比例非常重要，它可因此减小dV/dt感生电压幅值。如果dV/dt感生电压峰值超过IGBT的阀值，Q1产生集电极电流并产生很大的损耗，因为此时集电极到发射极的电压很高。为了减小dV/dt感生电流和防止器件开通，可采取以下措施：关断时采用栅极负偏置，可防止电压峰值超过V，但问题是驱动电路会更复杂。减小IGBT的CGC寄生电容和多晶硅电阻Rg’。减小本征JFET的影响图3给出了为反向偏置关断而设计的典型IGBT电容曲线。CRES曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到V接近15V，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau)特性，C的实际值就可以进一步减小。这种现象是由IGBT内部的本征JFET引起的。如果JFET的影响可以**小化，C和C可随着VCE的提高而很快下降。这可能减小实际的CRES，即减小dV/dt感生开通对IGBT的影响。图3需负偏置关断的典型IGBT的寄生电容与V的关系。IRGP30B120KD-E是一个备较小C和经改良JFET的典型IGBT。这是一个1200V，30ANPTIGBT。它是一个Co-Pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于TO-247封装。设计人员可减小多晶体栅极宽度。IGBT可以简单理解为一个交流直流电的转换装置。新疆模块报价

IGBT模块可以提供高效的电力控制，可以控制电流和电压，可以提供高效的电力控制。浙江有什么模块批发

    四种IGBT模块常规测量仪器作者：微叶科技时间：2015-10-1516:38看了很多的IGBT测量方法，其中不乏极具精髓的，但不怎么的***。现在我总结介绍四招，有这四招，足以应付日常工作中的要求了。但这是在简单工具的前提下，只能说是常规测量吧。下面先摆出四大装备（排名不分先后）：数字万用表：虽然，用它来测量有太多的局限性，但它却是我们**常用和普遍的工具**。用它测量二极管的管压降，不仅能在一定程度上判断其好坏，还能判定它们的离散性。数字电容表：这个可能是很多人用的比较少吧，其实我们都知道，IGBT的容量大小是有规律的，容量大它的各种等效电容容量也将同比加大，如**重要的Cies就是我们的测量对象。但是，官方给出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ时的参考数值，我们根本没有条件来做直接对比。我们使用的数字电容表多在800HZ的测试频率。但这不并不影响我们的测量，我们只要总结规律，以我们现有的这种简单测试仪表也还是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判断各个IGBT管的同一性。现在很多***商以小充大来赚取暴利，所以这是一个很好的方法。万一你用上了“来历不明”的模块而爆机时有可能就是这种情况，不是你技术不好或是你维修的不够仔细。浙江有什么模块批发

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