上述这些功能意味着，与使用分立式元器件件的传统电路保护方案相比，使用高集成度的eFuse IC能避免复杂的线路设计，*用较少数量的元器件件和较小占板面积，即可实现更丰富的电路保护功能。同时，产品符合IEC/UL 62368-1和UL 2367等国际安全标准规定的要求。 eFuse IC的上述特性，使其特别适合于各种需要高密度电路板设计的便...

  其中Bussmann巴斯曼熔断器广泛应用在纯电动汽车、混合动力汽车等高压保护电路，具有安全、可靠、寿命长等特点，市场占有率较高。 [1] 高压熔断器定义 编辑 ISO-8820和QC/T420-2004等标准中将它定义为：接于电路中，当电流超过规定值和规定的时间时，使电路断开的熔断式保护器件。熔断器是一个热能响应器件，熔断器中的熔片或熔丝...

  晶闸管模块自问世以来，随着半导体技术及其应用技术的不断发展，使其在电气控制领域中发挥了很大的作用，具有体积小、安装调试简单、可靠性高等优点。但是在使用的时候也应该对晶闸管模块采取相应的保护措施。1.过流保护;产生过流的原因有过负载.整疯装實直流侧短路等，过流保护一般采用快速熔断器。快熔接在模块的交流输人端，其额定电流应根据负裁的额定功率计...

  无填料密闭式熔断器将熔体装入密闭式圆筒中，分断能力稍小，用于500V以下，600A以下电力网或配电设备中。 快速熔断器：快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不...

  尽管我国拥有比较大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等器件差距更加明显。技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比，英飞凌、三菱和富士电机等国际厂商占有的市场优势。形成这种局面的原因主要是：1、国际厂商起步早，研发投入大，形...

  可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1 基极的电流已不只是初始的Ib1 ，而是经过BG1 、BG2 放大后的电流（β1 *β2 *Ib1 ）这一电流远大于Ib1 ，足以保持BG1 的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea 或降低Ea ，使BG1 、BG2 中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可...

  以上就是ASEMI对于整流桥接法的两个方面介绍正、负极性全波整流电路及故障处理如图9-24所示是能够输出正、负极性单向脉动直流电压的全波整流电路。电路中的T1是电源变压器，它的次级线圈有一个中心抽头，抽头接地。电路由两组全波整流电路构成，VD2和VD4构成一组正极性全波整流电路，VD1和VD3构成另一组负极性全波整流电路，两组全波整流电...

  背景技术：电力电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元,至少包括一个可控的电子驱动器件，如晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等。其中，现有的晶闸管能够实现单路控制，不利于晶闸管所在电力系统的投切控制。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种立式晶闸管模块，以克服现有...