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    [7]二极管双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡，测试电压由兆欧表提供。[8]测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。后将VBO与VBR进行比较，两者的*值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。[8]二极管瞬态电压抑制二极管用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。[8]对于双向极型的瞬态电压抑制二极管，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。[8]二极管高频变阻二极管识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。[8]二极管变容二极管将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。[8]二极管单色发光二极管在万用表外部附接一节能，将万用表置R×10或R×100挡。 在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。安徽哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的

    电路中电流增加很快，灯泡发光。随着电流增大，二极管VD两端电压维持在0．6～0．7V之间不再增加。由此可见，在正向偏置情况下，二极管表现出不同电压下具有不同的电阻值。为了准确描述这个物理现象，可以记录每个电压下对应的电流，从而描绘成曲线，可得到图(b)所示的二极管正向电流、电压关系特性在图(b)所示正向特性中，当正向电压较小时，正向电流几乎为零(曲线OA段)，这时二极管并未真正导通，这一段所对应的电压称为二极管的死区电压或阈值电压，通常硅管约为0．5V，锗管约为0．2V。当正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增加，这时二极管才真正导通，由图(b)可见，在A点以后曲线很陡，说明二极管两端电压几乎恒定，硅管约为0．6～0．7V，锗管约为0．2～0．3v。2．反向偏置与截止状态二极管阳极接低电位，阴极接高电位，连接电路如图(a)所示，这种连接称为二极管的反向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小发现，即使二极管两端反向电压较高时，电路中仍然几乎没有电流，灯泡不发光。当二极管两端反向电压到达足够大时(对于各种二极管该电压数值不同)，二极管会突然导通，并造成二极管的长久损坏。同样可将反向偏置情况下的二极管电流与电压关系描绘成曲线。 安徽哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。

    能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流，一般用在电视机电路中，常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.显示用于VCD、DVD、计算器等显示器上。8.稳压这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。常用的稳压管有2CW55、2CW56等。[1]9.触发触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅；在电路中作过压保护等用途。[1]二极管原理类型编辑二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流。

    所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。特基二极管和整流二极管的区别肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其明显的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流，高频电源整流中。肖特基二极管与一般整流二极管有什么区别呢？肖特基二极管与一般整流二极管相比特别之处在于哪里？就让我们一起学习一下。肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。 贴片稳压二极管是电源电路中常用的元件之一，有别于普通二极管，工作在PN结的反向击穿区。

    常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"?SCHOTTKY:取第1个字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的缩写，意为：表面贴装器件，取第1个字母"S",上面两个词组各取第1个字母、即为SS,电流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；电流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A的必定是模块。肖特基的高电压是200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A规格的有做到200V电压。除此外，都没有200V电压规格。常见贴片封装的肖特基型号BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23—MBR0520L、MBR0540:SOD-123—SS12、SS14:DO-214AC（SMA）—1ASL12、SL14:DO-214AC（SMA）—1ASK22:SK24:DO-214AA（SMB）—2ASK32:SK34:DO-214AB（SMC）—3AMBRD320、MBRD360:TO-252—3AMBRD620CT、MBRD660CT:TO-252—6AMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）—10AMBRB4045CT:TO-263（D2PAK）—40A常见插件封装的肖特基型号MBR150、MBR160:DO-41,轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-411N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向。 甲半导体二极管，常用的类型的，是一个晶体具有连接到两个电气端子的pn结的半导体材料。安徽哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的

二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。安徽哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的

    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。 安徽哪里有艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的