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    常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"?SCHOTTKY:取第1个字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的缩写，意为：表面贴装器件，取第1个字母"S",上面两个词组各取第1个字母、即为SS,电流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；电流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A的必定是模块。肖特基的高电压是200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A规格的有做到200V电压。除此外，都没有200V电压规格。常见贴片封装的肖特基型号BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23—MBR0520L、MBR0540:SOD-123—SS12、SS14:DO-214AC（SMA）—1ASL12、SL14:DO-214AC（SMA）—1ASK22:SK24:DO-214AA（SMB）—2ASK32:SK34:DO-214AB（SMC）—3AMBRD320、MBRD360:TO-252—3AMBRD620CT、MBRD660CT:TO-252—6AMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）—10AMBRB4045CT:TO-263（D2PAK）—40A常见插件封装的肖特基型号MBR150、MBR160:DO-41,轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-411N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向。 在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。辽宁代理艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销

    DO-201ADMBR340、MBR3100:（3A/40V），DO-201AD轴向MBR735、MBR745:TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745:贴片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-220AB（三脚半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT:TO-220F,（三脚全塑封），10A（第4位字母F为全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT:TO-220AB（三脚），15AMBR2045CT、MBR20200CT:TO-220AB（三脚），20AMBR2535CT、MBR2545CT:TO-220AB（三脚），25AMBR3045CT、MBR3060CT:TO-220AB（三脚），30AMBR3045PT、MBR3060PT:TO-247（TO-3P），30AMBR4045PT、MBR4060PT:TO-247（TO-3P），40AMBR6045PT、MBR6060PT:TO-247（TO-3P），60A肖特基二极管常见型号及参数列表器件型号主要参数常规封装形式MBR1045CT10A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR1060CT10A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR10100CT10A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR10150CT10A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR10200CT10A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR2045CT20A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR2060CT20A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR20100CT20A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR20150CT20A,150V。 天津艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管。

    空穴为少数载流子。[6]因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和PN结五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。[6]二极管PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都要PN结移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。[6]二极管主要分类编辑二极管点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用[5]。二极管面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路中使用[5]。二极管平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大[5]。

    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。 IXYS在亚洲,欧洲和北美设有分公司及代理商据点,雇用1000多名技术熟练的工作人员在全球10个部门。

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早期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀。辽宁代理艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销

    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 辽宁代理艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销