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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺,这不仅需要高度的灵活性,而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验,并将这些知识技能整合到EVG100系列中,可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。光刻胶处理设备有:EVG101光刻胶处理,EVG105光刻胶烘焙机,EVG120光刻胶处理自动化系统;EVG150光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数,请联系我们,我们会给您提供蕞新的资料。或者访问岱美仪器的官网获取相关信息。EVG已经与研究机构合作超过35年,能深入了解他们的独特需求。上海晶片光刻机

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光刻机软件支持基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,并可轻松引导操作员完成每个流程步骤。多语言支持,单个用户帐户设置和集成错误记录/报告和恢复,可以简化用户的日常操作。所有EVG系统都可以远程通信。因此,我们的服务包括通过安全连接,电话或电子邮件,对包括经过现场验证的,实时远程诊断和排除故障。EVG经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持,这得益于我们较分散的全球支持机构,包括三大洲的洁净室空间:欧洲(HQ),亚洲(日本)和北美(美国).四川IQ Aligner光刻机可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤、曝光后烘烤和硬烘烤操作。

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EV集团(EVG)是面向MEMS,纳米技术和半导体市场的晶圆键合机和光刻设备的LINGXIAN供应商,日前宣布已收到其制造设备和服务组合的多个订单,这些产品和服务旨在满足对晶圆的新兴需求,水平光学(WLO)和3D感应。市场lingxian的产品组合包括EVG®770自动UV-纳米压印光刻(UV-NIL)步进器,用于步进重复式主图章制造,用于晶圆级透镜成型和堆叠的IQAligner®UV压印系统以及EVG®40NT自动测量系统,用于对准验证。EVG的WLO解决方案由该公司的NILPhotonics®能力中心提供支持。使用ZUIXIN的压印光刻技术和键合对准技术在晶圆级制造微透镜,衍射光学元件和其他光学组件可带来诸多好处。这些措施包括通过高度并行的制造工艺降低拥有成本,以及通过堆叠使ZUI终器件的外形尺寸更小。EVG是纳米压印光刻和微成型领域的先驱和市场LINGDAOZHE,拥有全球ZUI大的工具安装基础。

EVG的光刻机技术:EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能,接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆,可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中,并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势,因此提供了针对特定应用的解决方案,尤其是在光学3D传感和光子学市场中,其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案能够成功的重要因素。EVG的代理商岱美仪器能在全球范围内提供服务。

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EVG®620BA自动键合对准系统:用于晶圆间对准的自动键合对准系统,用于研究和试生产。EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而闻名,专为ZUI大150mm晶圆尺寸的晶圆间对准而设计。EVGroup的键合对准系统具有ZUI高的精度,灵活性和易用性,以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中ZUI苛刻的对准过程。特征:ZUI适合EVG®501,EVG®510和EVG®520是键合系统。支持ZUI大150mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键对准。手动或电动对准台。全电动高份辨率底面显微镜。基于Windows的用户界面。在不同晶圆尺寸和不同键合应用之间快速更换工具。光刻机在集成电路制造中有重要的作用,能实现高分辨率、高精度图案转移,是微纳米器件制造关键工艺设备。四川IQ Aligner光刻机

只有接近客户,才能得知客户的真实需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。上海晶片光刻机

EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户的概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µm上海晶片光刻机

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