封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB) 技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。 根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。新疆官方授权经销键合机
长久键合系统 EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场阁命。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供蕞/佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或gao级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是关于EVG的键合机EVG500系列介绍。新疆微流控键合机EVG的 GEMINI系列，在ZUI小占地面积上，一样利用EVG ZUI高精度的Smart View NT对准技术。
目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层发生氧化时就会影响键合质量。
EVG®850键合机EVG®850键合机特征生产系统可在高通量，高产量环境中运行自动盒带间或FOUP到FOUP操作无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±°结合力：ZUI高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）清洁站清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％浓度（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：ZUI高3000rpm。 清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB，使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。
晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造，封装和测试的集成，从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机，可以实现晶圆级封装的功能。 EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。吉林键合机技术支持
我们在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。新疆官方授权经销键合机
二、EVG501晶圆键合机特征：带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）可选涡轮泵（<1E-5mbar）可升级阳极键合开放式腔室设计，便于转换和维护兼容试生产需求：同类产品中的蕞低拥有成本开放式腔室设计，便于转换和维护蕞小占地面积的200mm键合系统：0.8㎡程序与EVGHVM键合系统完全兼容以上产品由岱美仪器供应并提供技术支持。 新疆官方授权经销键合机
