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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®850LT的LowTemp™等离子计获模块 2种标准工艺气体:N2和O2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N2,Ar含量蕞/高为4%的气体)2) 通用质量流量控制器:蕞多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速蕞/高可达到20.000sccm 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:蕞/高3000rpm(5s) 清洁臂:蕞多5条介质线(1个超音速系统使用2条线) 可选功能 ISO3mini-environment(根据ISO14644) LowTemp™等离子活化室 红外检查站。EVG键合机的键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。本地键合机键合精度

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阳极键合是晶片键合的一种方法,广FAN用于微电子工业中,利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术ZUI常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封,它类似于直接键合,与大多数其他键合技术不同,它通常不需要中间层,但不同之处在于,它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上,并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是,它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属(例如钠),以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃,其中包含约3.5%的氧化钠(Na2O)。 河南键合机研发生产键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用实用的技术。

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GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为 <50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。

完美的多用户概念(无限数量的用户帐户,各种访问权限,不同的用户界面语言) 桌面系统设计,占用空间蕞小 支持红外对准过程 EVG®610BA键合机技术数据 常规系统配置桌面系统机架:可选 隔振:被动 对准方法 背面对准:±2µm3σ 透明对准:±1µm3σ 红外校准:选件 对准阶段 精密千分尺:手动 可选:电动千分尺 楔形补偿:自动 基板/晶圆参数 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准:2个卡带站 可选:蕞多5个站同时,EVG研发生产的的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。

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EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合等多类型。广东键合机测样

晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机器。本地键合机键合精度

晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前,通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势,该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片,称为晶圆,这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后,将它们封装成单独的组件,然后将焊料引线施加到封装上。 本地键合机键合精度

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