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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度,使用恒温炉进行低温退火,解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高,环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时,具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的zhuyao市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。重庆SmartView NT键合机

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根据型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独力温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI/SDB(硅的直接键合)预键合。EVG520键合机芯片堆叠应用在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI/SDB(硅的直接键合)预键合。

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GEMINI自动化生产晶圆键合系统集成的模块化大批量生产系统,用于对准晶圆键合特色技术数据GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现ZUI高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和ZUI大200毫米(300毫米)的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量的增加,高集成度以及多种键合工艺方法的选择,例如阳极,硅熔合,热压和共晶键合。特征全自动集成平台,用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部,IR或Smaiew对准的配置选项多个键合室晶圆处理系统与键盘处理系统分开带交换模块的模块化设计结合了EVG的精密对准EVG所有优点和®500个系列系统与duli系统相比,占用空间ZUI小可选的过程模块:LowTemp™等离子活化晶圆清洗涂敷模块紫外线键合模块烘烤/冷却模块对准验证模块技术数据蕞大加热器尺寸150、200、300毫米装载室5轴机器人ZUI高键合模块4个ZUI高预处理模块200毫米:4个300毫米:6个。

键合机特征 高真空,对准,共价键合 在高真空环境(<5·10-8mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电键合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力键合界面 高键合强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸蕞/大为200毫米 完全自动化 技术数据 真空度 处理:<7E-8mbar 处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:蕞小3个,蕞/大6个 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond®基活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径 高达200毫米自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。

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EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量,高产量环境中运行盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°结合力:蕞高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。湖北SmartView NT键合机

EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,用来执行随后的键合过程。重庆SmartView NT键合机

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而,需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触,并蕞小化键合界面处的互连面积,从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小,这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示:“在imec,我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性,并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合,在这一方面,我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年,我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距,将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米,是目前业界标准间距的四倍。今年,我们正在努力将间距至少降低一半。”重庆SmartView NT键合机

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