芯片ATE程序开发及FT测试FT（FinalTest）是芯片在封装完成以后进行的*终的功能和性能测试，是产品质量控制*后环节，通过ATE+Handler+loadboard检测并剔除封装工艺和制造缺陷等生产环节问题的芯片。测试程序覆盖功能和全pin性能参数，并补充CP未覆盖的功能。服务内容：老化方案开发测试硬件设计ATE开发调试可靠性试验在要求点(如0、168、500、1000 hr)进行 ATE 测试，确定芯片是否OK, 记录每颗芯片的关键参数，并分析老化过程中的变化。上海顶策科技TH801智能老化系统，芯片状态实时参数正态分布图，散点图等显示，多维度分析芯片状态。嘉定区HTOL测试机私人定做
本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后，htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小，实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后，htol可靠性验证通过，而且测试可靠，使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述，本发明所提供的一种闪存htol测试方法，对闪存参考单元进行编译和擦除循环后，再进行闪存htol可靠性验证，编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子，引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失，进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿，降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变动在内。闵行区HTOL测试机哪家好上海顶策科技有限公司自成立以来，已经为超过500家半导体公司提供高质、高效、低成本测试解决方案。
自有发明专利的智能HTOL系统，自主研发在线实时单颗监测技术，可灵活配置芯片工作状态，并施加信号，非常方便HTOLSetup，实时监测并记录环境温度，以及每颗芯片电压，电流，频率，寄存器状态等数据，确保芯片处于正常HTOL状态，保证HTOL测试质量，通过监测数据，可实时发现问题并介入分析，大幅度提高HTOL效率，节省更多时间、FA成本，全程数据记录，让HTOL问题更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL数据记录，让报告更有说服力，下游客户更放心。
在每个时间点读点过程为：将闪存参考单元的输出电流iref与闪存阵列单元的输出电流i的差值经由读出放大器进行比对判断，若iref＜i，则闪存读出“1”；若iref＞i，则闪存读出“0”。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明所提供的闪存htol测试方法，对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。附图说明图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图；图2为本发明实施例的闪存参考单元的结构示意图；图3为本发明实施例的对闪存参考单元进行编译示意图；图4为本发明实施例的对闪存参考单元进行擦除示意图；图5为本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除直接进行htol测试的输出电流iref分布图；上海顶策科技有限公司可靠性测试服务，涵盖模拟，数字，混合信号，SOC，RF等各类芯片的可靠性方案设计。
MIL-STD-883K-2016：稳态反向偏置S级**少时间有240h到120h共6个级别；B级**少时间352h到12h共10个级别；K级**少时间从700h到320h共6个级别。S级最低温度从125℃到150℃共6个级别；B级别最低温度从100℃到250℃；K级最低温度从100℃到125℃。电压大小全部为额定电压B：稳态正向偏置C：稳态功率反向偏置D：并联励磁E：环形振荡器F：温度加速试验————————————————版权声明：本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接：blog./qq_36671997/article/details/。 上海顶策科技TH801智能老化系统，拥有智能动态在线实时检测技术，同时一体化结合ATE与高温老化炉。松江区一体化HTOL测试机
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进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极上施加***编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述***编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的，所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压的范围为8v～10v,所述第四编程电压的范围为～-1v。进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加***擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述***擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。进一步的，所述***擦除电压的范围为-10v～-8v，所述第二擦除电压的范围为8v～10v。进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。进一步的，对所述闪存进行htol测试包括：对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
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