苏州半导体封装烧结银膏

聚峰烧结银膏凭借高导热、高可靠、耐高温等综合优势，深度适配新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、风力发电变流器等领域的高功率密度封装需求。在新能源汽车 800V 平台中，保证功率模块散热与稳定连接；在光伏、风电场景中，应对户外复杂环境与长期高负载运行挑战，提升设备发电效率与可靠性。其多领域适配性，为新能源产业的电子设备提供了统一的高性能封装解决方案，助力新能源设备向更高功率、更长寿命、更可靠方向发展，推动绿色能源产业的技术升级。纳米银膏适配点胶、丝网印刷工艺，支持大尺寸芯片封装，满足 IGBT、光模块等制造需求。苏州半导体封装烧结银膏

聚峰烧结纳米银膏采用无铅、无卤、无重金属的配方，完全符合 RoHS、REACH 等标准，从材料源头规避传统含铅焊料的问题。针对 SiC、GaN 宽禁带半导体的封装特性，产品优化了银粉粒径与烧结活性，适配宽禁带芯片的高温工作需求，解决了传统锡膏、锡膏在 200℃以上易软化、蠕变、失效的痛点。相比传统焊料，该银膏烧结后形成的纯银互连层，化学稳定性更强，耐氧化、耐腐蚀，在高温、高湿、强振动的复杂工况下，仍能保持稳定的互连性能，为宽禁带半导体器件的长期可靠运行提供关键材料，推动第三代半导体封装向绿色、高可靠方向发展。广东雷达烧结纳米银膏聚峰烧结银膏兼具低温烧结与高温服役特性，适配功率半导体封装需求。

烧结纳米银膏经低温烧结后，内部形成连续致密的纯银网络结构，导热率突破 200W/mK，是传统锡基焊料（约 60W/mK）的 3-4 倍，散热能力实现质的飞跃。在大功率器件运行时，能将芯片产生的热量传导至基板与散热系统，避免热量积聚导致的器件过热失效，降低热阻，提升器件工作稳定性与使用寿命。无论是新能源汽车电机控制器、光伏逆变器，还是 5G 基站射频模块，该材料都能轻松应对高功率密度带来的散热挑战，让设备在持续高负载工况下稳定运行，为电力电子设备的小型化、高功率化发展提供关键材料支撑。

聚峰烧结银膏能够同时适配铜基板与AMB陶瓷基板的异质界面互连需求。铜基板具有较好的导电和导热性能，但表面易氧化生成疏松的氧化铜层。AMB陶瓷基板表面通常覆有铜箔，通过活性金属钎焊工艺与氮化硅或氮化铝陶瓷结合。两种基板的热膨胀系数差异较大，铜约为17ppm/K，而氮化铝陶瓷约为4.5ppm/K。聚峰烧结银膏的烧结层具备一定的塑性变形能力，可以吸收热循环产生的剪切应变。在互连工艺中，银膏首先通过丝网印刷或点胶方式涂覆在两种基板表面，然后进行预干燥去除低沸点溶剂。贴装芯片后进行分段升温烧结，银膏在两种材料界面形成均匀过渡层。聚峰烧结银膏对不同表面处理状态的基板表现出良好的润湿性，无论是裸铜还是化学镀镍钯金表面均可直接使用。这为混合封装结构提供了简洁的材料体系。纳米烧结银膏无铅无卤配方体系，符合电子行业规范，适配车规制程。

纳米烧结银膏是实现功率器件双面散热（DSC）技术的关键材料，为提升模块性能开辟了新路径。传统单面散热结构热阻高、功率密度受限，而双面散热技术通过在芯片上下两面均采用烧结银膏连接，构建了双向散热通道。纳米烧结银膏凭借其超薄、高导热的连接层，将模块整体热阻降低约 30%，同时降低寄生电感约 70%。这一系列性能提升直接转化为功率密度的大幅跃升（约 40%），使得在相同体积内可以集成更多芯片，或实现更高的输出功率。该技术已在 SiC/GaN 功率模块中得到广泛应用，有力推动了电力电子设备向更小、更轻、更强的方向发展。聚峰烧结银膏适配有压 / 无压工艺，覆盖新能源汽车、航空航天等应用领域。四川IGBT烧结纳米银膏

聚峰烧结银膏烧结层致密度高、孔隙率低，剪切强度优异，满足车规级与航空航天可靠性要求。苏州半导体封装烧结银膏

聚峰烧结银膏针对 AI 芯片、服务器电源等算力设备的封装需求，完成了专项性能优化。AI 芯片、服务器电源工作时功率密度高、发热量极大，传统焊料无法满足其散热与可靠性需求。聚峰烧结银膏烧结后形成的纯银互连层，热阻极低、散热快，可速度导出芯片热量，将器件工作温度降低 15-20℃，避免高温导致的算力衰减。同时，银层优异的导电性能，可承载大电流传输，满足服务器电源、AI 加速卡的高功率需求。此外，产品抗热疲劳、抗电迁移性能突出，在 7×24 小时不间断运行的服务器场景中，可保护器件 10 年以上的稳定运行，为算力基础设施的可靠运行提供关键材料支撑。苏州半导体封装烧结银膏