形状记忆合金、压电陶瓷等智能材料的微结构加工需要高精度图案定位。Polos 光刻机的亚微米级定位精度,帮助科研团队在镍钛合金薄膜上刻制出复杂驱动电路,成功制备出微型可编程抓手。该抓手在 40℃温场中可实现 0.1mm 行程的precise控制,抓取力达 50mN,较传统微加工方法性能提升 50%。该技术被应用于微纳操作机器人,在单细胞膜片钳实验中成功率从 40% 提升至 75%,为细胞级precise操作提供了关键工具。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。Polos-BESM:基础款高性价比,适合高校实验室基础微纳加工。广东德国POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

针对碳化硅(SiC)功率模块的栅极刻蚀难题,Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制,较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备,将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%,开关损耗减少 20%,推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构,使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周,助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。江苏德国POLOS桌面无掩模光刻机Polos-BESM 光刻机:无掩模激光技术,成本降低 50%,任意图案轻松输入,适配实验室微纳加工。

在科研领域,设备的先进程度往往决定了研究的深度与广度。德国的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻机 POLOS µ 带来了革新之光。它们运用无掩模激光光刻技术,摒弃了传统光刻中昂贵且制作周期长的掩模,极大降低了成本。这些光刻机可轻松输入任意图案进行曝光,在微流体、电子学和纳 / 微机械系统等领域大显身手。例如在微流体研究中,能precise制造复杂的微通道网络,助力药物传输、细胞培养等研究。在电子学方面,可实现高精度的电路图案曝光,为芯片研发提供有力支持。其占用空间小,对于空间有限的研究实验室来说堪称完美。凭借出色特性,它们已助力众多科研团队取得成果,成为科研创新的得力助手 。
Polos光刻机与弗劳恩霍夫ILT的光束整形技术结合,可定制激光轮廓以优化能量分布,减少材料蒸发和飞溅,提升金属3D打印效率7。这种跨领域技术融合为工业级微纳制造(如光学元件封装)提供新思路,推动智能制造向高精度、低能耗方向发展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻胶,通过优化曝光参数(如能量密度与聚焦深度)实现不同材料的高质量加工。例如,使用AZ5214E时,可调节光束强度以减少侧壁粗糙度,提升微结构的功能性。这一特性使其在生物相容性器件(如仿生传感器)中表现outstanding26。电子学应用:2μm 线宽光刻能力,第三代半导体器件研发效率提升 3 倍。

Polos-BESM在电子器件原型开发中展现高效性。例如,其软件支持GDS文件直接导入,多层曝光叠加功能简化了射频器件(如IDC电容器)的制造流程。研究团队利用同类设备成功制备了高频电路元件,验证了其在5G通信和物联网硬件中的潜力。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。POLOS µ 光刻机:微型化机身,纳米级曝光精度,微流体芯片制备周期缩短 40%。安徽德国桌面无掩模光刻机
多材料兼容性:同步加工陶瓷 / PDMS / 金属,微流控芯片集成电极与通道一步成型。广东德国POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
Polos光刻机在微机械加工中表现outstanding。其亚微米分辨率可制造80 µm直径的开环谐振器和2 µm叉指电极,适用于传感器与执行器开发。结合双光子聚合技术(如Nanoscribe系统),用户还能扩展至3D微纳结构打印,为微型机器人及光学元件提供多尺度制造方案。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。广东德国POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
针对碳化硅(SiC)功率模块的栅极刻蚀难题,Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制,较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备,将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%,开关损耗减少 20%,推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构,使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周,助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助...