陕西晶体和晶振

MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品1/10音叉谐振器包括底部和从底部延伸的两个振动臂，在两个振动臂上镀有激励电极（红色部分）。该常规结构的晶片微型化后，激励电极面积将随之减小，不利于起振。MEMS技术通过对振动片进行三维立体加工形成H型槽的构造，既确保了电极的面积，又提高了电解效率。MEMS技术有效推动晶体谐振器小型化发展，光刻加工下的晶振体积缩小至18.8mm3小型音叉型晶体器件，体积为原有产品1/10以下（3）MEMS技术用于AT型晶体/AT振荡器，将尺寸公差保持在1um以内利用MEMS技术的光刻加工可以提升石英晶体芯片的一致性与稳定性，光蚀刻工艺能够将尺寸公差保持在1um以内。光刻工艺首先使用电子束真空沉积系统将石英晶片化学蚀刻至预定频率，清洁并用铬和金薄膜金属化。石英掩模和双对准器光刻生成AT条带图案，其中晶片的顶部和底部表面同时对准和曝光。然后通过随后的光掩模步骤限定晶体电极和探针焊盘案。然后对晶片进行化学金属和石英蚀刻以形成单独的AT条带。然后，使用孔掩模和薄膜金属沉积将顶部和底部安装垫连接在一起。光刻工艺完成后，晶圆包含上百个单独的超小型AT晶体谐振器。全球晶振市场中谐振器销售额相当高，MHz谐振器出货量相当高。陕西晶体和晶振

设计考虑事项：1、使晶振、外部电容器(如果有)与IC之间的信号线尽可能保持短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对EMC、ESD与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。2、尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。3、当心晶振和地的走线4、将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当，会引起线路参考频率的误差。另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点)，影响混频信号的信号强度与信噪。当波形出现削峰，畸变时，可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻。海南电容 晶振是什么决定晶振的频率。

晶振电路中为什么用22pf或30pf的电容而不用别的了，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，5404非门和R1实现一个NPN的三极管，接下来分析一下这个电路。5404必需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1相当于三极管的偏置作用，让5404处于放大区域，那么5404就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360度，与晶振振荡频率相同的很小的振荡就被放大了。接下来主要讲解这个相位问题：5404因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2和Y1实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1形成谐振时，能够实现180移相，这个大家可以解方程等，把Y1当作一个电感来做。也可以用电容电感的特性，比如电容电压落后电流90°，电感电压超前电流90°来分析，都是可以的。当C1增大时,C2端的振幅增强，当C2降低时，振幅也增强。有些时候C1，C2不焊也能起振，这个不是说没有C1，C2，而是因为芯片引脚的分布电容引起的，因为本来这个C1，C2就不需要很大，所以这一点很重要。接下来分析这两个电容对振荡稳定性的影响。

汽车电动化带来元器件需求扩张，每部汽车需配置数十颗晶振。根据NDK 年报披露数据，低端车型配置10-20颗晶振，经济型汽车需要晶振30-40颗，豪华型汽车需要70-110颗。依据《智能网联汽车技术路线图》，2020年智能汽车新车占比达到50%；2025年智能汽车新车装配率将达到80%。我们以每部经济型汽车使用晶振30颗，智能汽车使用80颗晶振颗测算，预计2020年全国车用晶振达到15亿颗,到2025年增长至28.7亿颗。2020年5G基站建设提速，对石英晶振的需求将会增加。石英晶振是5G技术中很重要的电子零部件，其作用是提供高标准基准时钟信号以及接收传输信号。5G技术在各方面都要做到非常精细，普通的石英晶体谐振器并不足够支持5G的运转，必须额外搭载精度、稳定性要求更高的TCXO（温补晶振）、VCXO（压控晶振）、OXCO（恒温晶振）等产品。我们预计2020年后，有源晶振订单量会随之增加资讯设备：电子计算机保持较高出货量，年晶振需求量约31亿颗。

传染病过后国内厂商陆续提价，无源晶振国产替代迎来契机。对比四家晶振厂商低频及高频晶体谐振器产品参数，日本、中国台湾、大陆厂商在无源晶振领域并无明显差异。目前，中国凭借劳动力成本、市场规模优势，已经发展成为无源晶振主要制造基地。2020年传染病导致全球晶振产能减少，供需状况发生转变。3月后，中国情势已经逐步好转产能释放在即，晶振行业迎来国产替代契机。根据公开资料显示，泰晶科技等国内晶振企业已于2月20日对产品亦进行新一轮提价，中国厂商在无源领域的优势将逐步凸显。晶振市场需求和规模分析 全球晶振产量分析预测。湖南晶振参数

晶振产品或将差异化涨价。陕西晶体和晶振

晶振与匹配电容的经验总结，匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2、负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3、一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。陕西晶体和晶振

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