陕西单片机的晶振

晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震荡的.因此，在反相器的两端并联一个电阻，由电阻完成将输出的信号反向180度反馈到输入端形成负反馈，构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上，电阻与晶体的等效阻抗是并联关系，自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?晶振的国产替代，下游应用驱动，晶振市场回暖。陕西单片机的晶振

5、封装尺寸和外形基于振荡器类型和规格，对晶振封装的要求将大相径庭。简单的时钟振荡器和一些TCXO可以装在小到1.2×2.5mm2的封装中；而一些OCXO可以大到50×50mm2，对某些特定设计，甚至可更大。虽然一些通孔封装如双列直插式4或14引脚类型仍然用于较大的部件(如OCXO或特定用TCXO)，但大多数当前设计使用表贴封装。这些表贴配置可以是密封的陶瓷封装，或基于FR-4的、具有用于I/O的建构的组件。6、总结器件选型时一般都要留出一些余量，以保证产品的可靠性。选用较前端的器件可以进一步降低失效概率，带来潜在的效益，这一点在比较产品价格的时候也要考虑到。要使振荡器的“整体性能”趋于平衡、合理，这就需要权衡诸如稳定度、工作温度范围、晶体老化效应、相位噪声、成本等多方面因素，这里的成本不止包含器件的价格，而且包含产品全寿命的使用成本。山东陶瓷晶振高基频晶振价格较普通晶振大幅增长，有望迎来量价齐升。

各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器， 或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚 XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻连接， 对于 CMOS 芯片通常是数 M 到数十 M 欧之间。很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻， 引脚外部就不用接了。这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处与线性状态， 反相器就如同一个有很大增益的放大器， 以便于起振。石英晶体也连接在晶振引脚的输入和输出之间， 等效为一个并联谐振回路， 振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率。晶体旁边的两个电容接地， 实际上就是电容三点式电路的分压电容， 接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点， 振荡引脚的输入和输出是反相的， 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看， 形成一个正反馈以保证电路持续振荡。在芯片设计时， 这两个电容就已经形成了， 一般是两个的容量相等， 容量大小依工艺和版图而不同， 但终归是比较小， 不一定适合很宽的频率范围。外接时大约是数 PF 到数十 PF， 依频率和石英晶体的特性而定。需要注意的是：这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的， 会影响振荡频率。当两个电容量相等时， 反馈系数是 0.5， 一般是可以满足振荡条件的。

中国台湾地区厂商近年来发展迅速，产品更新速度快，2017年已经占据了全球约24.3%的市场份额，竞争实力在短时间内也无法撼动。大陆企业起步较晚，重要生产设备依赖外购，产品主要应用于消费类电子和小型电子领域。不过近年来，大陆厂商凭借成本优势迅速发展，成长率***高于其他国家。根据日本水晶工业协会公布的数据：2017 年大陆厂商晶振销售额约占全球的10.10%，较2010年的4.0%增长近6.1个百分点。无源晶振在对精度要求较低、成本较高的领域广泛应用。虽然无源晶振的精度、抗噪声性能、抗干扰性能较有源晶振存在一定差距，但终端厂商在选择晶振时也会考虑成本因素。无源晶振的价格为有源晶振的五分之一至十分之一，在电路中广泛应用。比如，移动终端的蓝牙传输、红外线功能，计时器及钟表的计时功能，需无源晶振便能实现。晶振市场需求和规模分析 全球晶振产量分析预测。

当晶体频率发生频率漂移，且超出晶体频率偏差范围过多时，以至于捕捉不到晶体的中心频率，从而导致芯片不起振。由于芯片本身的厚度很薄，当激励功率过大时，会使内部石英芯片破损，导致停振。在检漏工序中，就是在酒精加压的环境下，晶体容易产生碰壳现象，即振动时芯片跟外壳容易相碰，从而晶体容易发生时振时不振或停振。在压封时，晶体内部要求抽真空充氮气，如果发生压封不良，即晶体的密封性不好时，在酒精加压的条件下，其表现为漏气，称之为双漏，也会导致停振。全球晶振供应紧张致进口价大涨 国内价格同样涨幅较大。吉林晶振测量

晶振的选型考量和失效分析。陕西单片机的晶振

替代逻辑三：突破光刻技术，推进小型化、高精度发展（1）MEMS技术可解决传统机械加工的局限高稳定性的晶体元器件晶体单元/晶体振荡器按照切型主要分为三种：1）kHz级的晶体单元采用音叉型结构振动子；2）MHz级的晶体单元采用AT型结构振动子；3）百MHz超高频晶体单元采用SAW型振动子，温度特性曲线和音叉型振动子类似。随着下游产品对晶振抗振性、相位噪声等、尺寸小型化等参数要求越来越高，传统机械加工的局限性逐渐显露。音叉型晶振缺陷：单元尺寸压缩后将难于取得良好的振荡特性。当石英振动子的尺寸从1.2×1.0mm减小到1.0×0.8mm时，串联电阻值（CI值）会升高30%左右，也就是说音叉型晶体单元尺寸压缩后将难于取得良好的振荡特性。陕西单片机的晶振

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