220V转5V电源芯片高压BUCK电路,给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关,适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部,芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能,在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时,芯片设计有轻重载模式,可轻松获得低于50mW的待机功耗。逐周期峰值电流限制和前沿消隐。吉林低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂
我们芯片采用高压集成工艺,内部集成有500V高压MOSFET,适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路,也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制,默认5V高精度输出时很大程度降低了系统成本。此外,芯片经过内部优化,可兼容**压输入(15Vdc以上)应用。IC芯片的静态工作电流典型值为150uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求,同时也可以帮助系统降低成本。通常条件下建议使用0.1-1uF瓷片电容。浙江低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片型号AC 同步检测及主动泄放电路。
18V低功耗DCDC降压芯片,主要特点•宽输入电压范围:4.5Vto17V•输出电压范围:0.768Vto7V•支持2A持续输出电流•电感电流连续模式下600kHz的开关频率•内部集成低导通电阻的MOSFET开关管•低静态工作电流:190μA(无开关动作,典型值)•低关断电流:2.5μA(典型值)•采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应•两种轻载工作模式:•KP522201A:脉冲频率调制模式(PFM)•KP522208A:强制脉宽调制模式(FPWM)•高参考电压精度:0.768V±1.5%@25℃•集成完善的保护功能:•精确的使能控制和可调欠压锁定功能•内部1ms软启动时间,避免过冲电压和电流•逐周期谷底限流保护(OCL)•非闭锁的输入欠压保护(UVLO)、输出欠压保护(UVP)、输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)•紧凑的解决方案尺寸:•支持使用MLCC陶瓷电容,且支持低输出电容数量•无需外部补偿•小封装类型:SOT23-6
另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路。
输出电容选择:对于常规的5V-100mA规格,输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择:需在空载输出电压和待机损耗上折中:即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压,但系统待机损耗也随之加大;而过小的假负载则反之。一般而言,芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整),假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能,当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加,而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。为了降低系统损 耗,随着负载的降低芯片会自动降低峰值电流 基准以满足**待机的要求。浙江低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片型号
低开关损耗的特 点, 适合于降压型拓扑。吉林低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂
芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P)),使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时,上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到,当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时,额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比,实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置,其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。吉林低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂
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