EN 引脚有一个内部上拉电流源，从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要，EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时，串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流，防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。内部 1ms 软启动时间，避免过冲电压和电流。重庆AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片型号
高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻，**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流，支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4重庆AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片型号在实际 工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD 电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频 模式中。
低功耗18V降压DCDC芯片，采用SOT23-6封装的4.5V至17V输入、2A输出、600kHz同步降压转换器KP52220XA是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。它具有4.5V到17V的宽输入电压范围，非常适合于12V和15V等各种常见的输入电压轨。它支持高达2A的持续输出电流，输出电压范围为0.768V至7V。KP522201A轻载工作在脉冲频率调制模式(PFM)下以维持高轻载效率；KP522208A工作在强制脉宽调制模式(FPWM)下以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。KP52220XA集成了完善的保护功能，包括输入欠压保护(UVLO)，逐周期谷底限流保护(OCL)，输出欠压打嗝保护(UVP)，输出过压保护(OVP)和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。KP52220XA采用小尺寸的SOT23-6封装，工作结温范围为-40℃到125℃。
VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重启。AC交流输入，输出3.3V/400mA.
当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启和VDD振荡模式中。在此过程中高压MOSFET不允许导通，同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。通过芯片内部数字计数器对振荡周期的计数，当振荡周期数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。如果故障解除，系统开始正常工作；否则系统再次进入振荡模式。为确保系统工作稳定，推荐KP311A系统工作于浅度CCM状态，即电感电流纹波ΔI接近于OCP峰值电流(210mA)。具体感量计算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：输出电压；Vf：续流二极管压降；Toff_min：IC设定内部**小Toff时间，约32us；ΔI：电感纹波电流，CCM条件下为2*(Iocp-Io_max)。举例来讲，参考5V-100mA输出规格，设定Io_max为额定输出电流的1.2倍，即120mA；在此过程中高压MOSFET 不 允许导通，同时VDD 电容上电压持续在6.2V 和 7V 之间振荡。低功耗40V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片价格
集成有快速动态影响功能，可降低负载 切换时的输出电压跌落。重庆AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片型号
为进一步推动我国电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片的产业发展，促进新型电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片的技术进步与应用水平提高，在 5G 商用爆发前夕，2019 中国 5G 电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片重点展示关键元器件及设备，旨在助力电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片行业把握发展机遇，实现跨越发展。电子元器件自主可控是指在研发、生产和保证等环节，主要依靠国内科研生产力量，在预期和操控范围内，满足信息系统建设和信息化发展需要的能力。电子元器件关键技术及应用，对电子产品和信息系统的功能性能影响至关重要，涉及到工艺、合物半导体、微纳系统芯片集成、器件验证、可靠性等。回顾过去一年国内电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片产业运行情况，上半年市场低迷、部分外资企业产线转移、中小企业经营困难，开工不足等都是显而易见的消极影响。但随着电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片产业受到相关部门高度重视、下游企业与元器件产业的黏性增强、下游 5G 在产业发展前景明朗等利好因素的驱使下，我国电子元器件行业下半年形势逐渐好转。当前国内电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片行业发展迅速，我国 5G 产业发展已走在世界前列，但在整体产业链布局方面，我国企业主要处于产业链的中下游。在产业链上游，尤其是电源芯片，MOS管，MCU方案，必易芯片和器件等重点环节，技术和产业发展水平远远落后于国外。重庆AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片型号
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