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光电基本参数
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  • 意科科技
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  • 光电
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光电耦合器按作用方式可分为两类:一类是通过对发射光和接受光的作用来实现信号的转换;另一类的作用是直接把电能转换成光了(称为全向开关)。(1)半导体光电转换器:包括红外探测器及相应的调制解调系统。红外线探测器用来感受周围环境的热量,并将此信息转化为相应频率的无线电波发送出去;调制解调系统则是根据所收到的无线电台发出的指令来进行解码还原成原来的文字内容再传送给使用者。(2)全方向性发射器/收发两用器:这是一种集成的多功能仪器,它可以发出可见光也可吸收不可见的紫外线或其他射线并将其转化成可利用的能源。重庆实时光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。西安可变增益光电转换器

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为了在千兆赫兹区域获得特别高的检测带宽,需要使用先进的光电二极管设计。例如,一些器件在薄的吸收部分周围包含一个光学谐振器。通过这种方式,人们可以实现有效的吸收,从而获得高的量子效率,尽管本征区的厚度相当小,这是为减少漂移时间所选择的。所谓的波导光电二极管包含一个光波导,它将光沿着其路径限制在吸收区。然后,该区域可以再次非常薄,尽管如此,人们可以在很短的长度内获得有效的吸收。通过限度地减少有源区的长度,我们也可以限度地减少电容量,并达到一个非常高的带宽。在某些情况下,电极结构被制作成形成一个电波导,其中电波可以与光波导中的光波平行传播。这种行波光电二极管的带宽可以达到远远超过100GHz。重庆小信号光电接收模块高速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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雪崩二极管的结构可分为两大类:单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻,且频带较宽,因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是1970年以后出现的,其结构为PPNN,实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联,从而有效地利用了电子和空穴漂移空间,因此输出功率和效率均较高。制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源,特别是毫米波发射源的主要功率器件,泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。

一个典型的光电二极管模型包含以下关键元素,一个二极管并联一个电流源,并且电流源与光强成正比。寄生元件CD和RD会影响器件性能。光伏模式-光电流在如图2所示的环路中流动,并且给二极管提供正向偏置。由于二极管的电压电流间成对数关系,因此空载的输出电压与光电流间近似成对数关系,并且通过RD上的一个小电流得到修正。所以,输出电压与光强之间是高度非线性的关系。某些应用将很受益于对数关系,因为在很大的范围内,光强的改变(眼睛是完美的对数型)会使电压发生类似的改变。由于二极管电压电流特性与温度相关,电压与光强之间的关系很差。成都微安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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雪崩二极管能以多种模式产生振荡,其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式,简称崩越模式。其基本工作原理是:利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻,从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件,使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体,造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低,但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外,雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。成都小信号光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆飞安光电测量

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雪崩二极管与PIN光电二极管有何区别PIN:光敏面接收对应波长的光照时,产生光生电流;雪崩光电二极管(APD):除了和PIN相同部分外,多了一个雪崩增益区,光生电流会被放大,放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器,所使用的材料一样,光谱响应范围也一样。PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快,频带也较宽工作电压低,偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压,所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。西安可变增益光电转换器

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