昆山首科的铟片生产严格遵循《GB/T26727-2022回收铟原料》标准，注重资源的循环利用，在保证产品品质的同时，提高铟资源的回收利用率，减少对原生铟的依赖。公司拥有专业的检测团队，采用先进的检测设...

首科电子导热相变材料，具有无硅油配方特性，避免传统材料的硅油迁移问题，保护周边电子元件，提升设备可靠性。材料采用纳米导热填料与柔性基体复合技术，构建三维导热网络，实现热量快速传递。首科电子导热相变材料...

昆山首科电子材料科技有限公司在2024 成功开发“氮化硼导热绝缘薄膜”，该氮化硼导热薄膜以高导热系数、高电击穿强度、低介电常数等特点著称，该散热膜是一种基于二维氮化硼纳米片的复合薄膜，该散热膜具有透电...

在应用场景上，首科电子铟片可普遍用于半导体封装、航空航天、低温实验设备、真空系统及精密仪器制造等领域，其中在半导体封装中，其低熔点特性可避免高温对芯片的损伤，提升封装质量和效率。首科电子秉持“客户至上...

异形电子元件散热困难？氮化硼导热薄膜具备 20-50% 的高压缩比和优异的界面贴合性，能轻松填充不规则表面缝隙，实现高效散热。 昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，...

氮化硼导热薄膜不*导热绝缘双优，更具备低介电常数（3.9）和低介电损耗（ 95%，不干扰信号传输，完美适配 5G 通信设备与高频电路。昆山首科电子材料科技有限公司在2024 成功开发“低维氮化硼导热薄...

铟片产品纯度可达99.99%及以上，具备优异的物理和化学性能，熔点约为156.6℃，沸点高达2072℃，可在普遍的温度范围内保持稳定性能，适用于不同环境下的使用需求。在应用领域，昆山首科铟片可用于半导...

该产品具有良好的导电性、导热性和延展性，可广泛应用于电子、半导体、光学、航空航天等多个领域，例如在光学镀膜中，铟片可提升镜片的增透效果，减少眩光，提高光学性能；在低温密封中，其低温塑性变形能力可有效填...

按需定制 —— 导热铟片满足您的专属散热需求无论您需要 0.01mm 超薄铟箔适配精密传感器，还是 2mm 厚铟片用于大功率设备；无论是圆形、方形标准尺寸，还是异形、网纹特殊结构，我们均可提供定制化解...

氮化硼导热薄膜采用无溶剂制备工艺，环保无污染，符合绿色生产理念，同时避免溶剂残留对电子设备的损害，提高产品可靠性。昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜以高导...

氮化硼导热薄膜采用六方氮化硼 （h-BN） 层状晶体结构，层内强共价键形成致密导热网络，面内热导率高达 300-400W/（m・K），与金属铜相当，散热效率远超常规聚合物材料。昆山首科电子材料科技有限...

散热材料安装复杂、成本高？氮化硼导热薄膜自带弱粘性，可直接粘贴使用，无需额外粘合剂，安装便捷，可反复拆卸，降低维护成本。昆山首科电子材料科技有限公司在2024年成功开发“低维氮化硼导热薄膜”，该散热膜...