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场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种; 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场...
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SGTMOSFET在工作过程中会产生一定的噪声,包括开关噪声和电磁辐射噪声。为抑制噪声,可以采取多种方法。在电路设计方面,优化PCB布局,减少寄生电感和电容,例如将功率回路和控制回路分开,缩短电流路径...
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SGTMOSFET的栅极电荷特性对其性能影响深远。低栅极电荷(Qg)意味着在开关过程中所需的驱动能量更少。在高频开关应用中,这一特性可大幅降低驱动电路的功耗,提高系统整体效率。以无线充电设备为例,SG...
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Trench技术趋势与挑战 工艺创新: 深沟槽(Deep Trench):刻蚀深度>10μm,用于高压IGBT或SiC MOSFET,优化电场分布。 双沟槽(Double Tre...
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无锡商甲半导体 封装选用主要结合系统的结构设计,热设计,单板加工工艺及可靠性考虑,选择具有合适封装形式及热阻的封装。常见功率MOSFET封装为DPAK、D2PAK、PowerPAK 5X6、...
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MOSFET管封装概述 在完成MOS管芯片的制作后,为保护芯片并确保其稳定工作,需要为其加上一个封装外壳。这一过程即为MOS管封装,它不仅提供支撑和保护,还能有效冷却芯片,同时为电气连接和隔...
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SGTMOSFET在中低压领域展现出独特优势。在48V的通信电源系统中,其高效的开关特性可降低系统能耗。传统器件在频繁开关过程中会产生较大的能量损耗,而SGTMOSFET凭借低开关损耗的特点,能使电源...
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无锡商甲半导体中低压 MOSFET 为 BMS 提供了可靠保障。导通电阻和栅极电荷低,意味着在电流传输中消耗的能量少,系统温升得到有效控制,延长了 BMS 内部元件的使用寿命。抗雪崩能力强,能应对电池...
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进行无线充 MOSFET 选型时,需考虑器件的反向耐压和高频稳定性,无锡商甲半导体的 MOSFET 能满足这些要求。其产品耐压等级适配无线充的工作电压,避免电压波动对器件造成损坏。高频下的稳定性好,在...
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无锡商甲半导体提供30V-200VTrench&SGTMOSFET,用户可根据电机电压及功率情况选用合适的料号: 12V电池:SJD30N026/SJH30N030/SJD30N015 ...
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进行无线充 MOS 选型时进行无线充 MOS 选型时,需考虑器件的反向耐压和高频稳定性,无锡商甲半导体的 MOSFET 能满足这些要求。其产品耐压等级适配无线充的工作电压,避免电压波动对器件造成损坏。...
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SGTMOSFET制造:氮化硅保护层沉积为优化工艺、提升器件性能,在特定阶段需沉积氮化硅(Si₃N₄)保护层。当完成屏蔽栅多晶硅填充与回刻后,利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术在沟槽侧壁及屏...
查看详情 >2026.01.08 重庆定制MOSFET供应商规格书
2026.01.07 江苏PD 快充MOSFET供应商价格行情
2026.01.05 浙江650V至1200V IGBTMOSFET供应商中低压MOS产品
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