微泰，超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管（AM350或STS316L）、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：铜垫圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。闸板有刚性闸板和弹性闸板，根据闸板的不同，闸阀分为刚性闸阀和弹性闸阀。加热闸阀角控制阀
微泰，铝闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。期特点是*不论什么工艺的设备都可以使用*由半永久性陶瓷球和弹簧组成*应用:隔离泵。铝闸阀规格如下：驱动方式：手动、法兰尺寸：1.5英寸~ 10英寸、阀体：AL6061 (Anodizing)、机械装置：AL6061 (Anodizing)、阀门：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、响应时间≤ 3 sec、驱动器：气缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ℓ/sec、压力范围：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、开始时的压差：≤ 30 mbar、初次维护前可用次数100,000次、阀体温度≤ 120 °执行机构温度≤ 60 °C、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。可替代VAT阀门。金属闸阀SHIELD GATE VALVE为了避免在颗粒敏感应用中产生颗粒，滑动闸门机构的设计旨在避免阀壳处的摩擦。
微泰转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。它充当将位于工艺模块中的晶圆转移到工艺室的沟槽。此外，它极大限度地减少了由于闸板打开和关闭造成的真空压力变化，使腔室内的真空压力得以维持。负责门控半导体晶圆转移的转移阀分为两种类型:I型和L型。一、I型转移阀。I型转移阀产品由铝或不锈钢制成，用于传输晶圆小于450毫米的半导体系统和隔离工艺室。本型的特点是叶片在垂直方向上快速移动，确保完美的腔室压力维持。它采用具有LM导向系统和单连杆的内部机构，保证高耐用性和长寿命。二、L型转移阀。L型转移阀产品由铝或不锈钢制造，其特点是设计紧凑，易于维护。L型转移阀的特点是闸门在两个阶段从垂直到水平方向移动，确保完美的腔室压力维护。它的内部机构，包括一个LM导向系统和滞留弹簧和楔形营地结构，保证了高耐用性和长寿命，同时提供稳定和精确的运动。I型和L型转移阀在在闸门开启和关闭过程中极大限度地减少了振动，并且对温度变化非常稳定，确保了较长的使用寿命。此外，即使长时间使用栅极，它们产生的颗粒也很少，从而避免了晶圆缺陷或主器件的污染。微泰不断创新，在开发先进的压力控制和控制阀制造专业从事真空闸阀不懈努力。
微泰，加热闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：ISO、JIS、ASA、CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。为特定的真空系统和工艺选择适当尺寸和类型的真空闸阀对于确保高效运行和可靠的真空完整性至关重要。
微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，控制系统闸阀，控制闸阀、控制系统插板阀、控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。加热闸阀角控制阀
用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。加热闸阀角控制阀
微泰，大闸阀、大型闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰大闸阀、大型闸阀其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:用于研发和工业的隔离阀。大闸阀、大型闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸（内径）：16˝ ~ 30˝、 法兰型：ISO、JIS、ASA 、馈通：Viton O-Rin、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：可调节、工作压力范围：1×10-8 mbar to 1000 mbar 、维护前可用次数：10,000 ~ 100,000次、开启时压差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9 mbar ℓ/sec、阀体温度≤ 150 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：6~ 8 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 加热闸阀角控制阀
