MEMS全称Micro Electromechanical System，微机电系统。是指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个单独的智能系统。主要由传感器、作动器（执行器）和微能源三大部分组成。微机电系统涉及物理学、半导体、光学、电子工程、化学、材料工程、机械工程、生物医学、信息工程及生物工程等多种学科和工程技术，为智能系统、消费电子、可穿戴设备、智能家居、系统生物技术的合成生物学与微流控技术等领域开拓了广阔的用途。常见的产品包括MEMS生物微流控芯片、MEMS压电换能器、PMUT、CMUT、MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器等以及它们的集成产品。MEMS的超材料介绍与讲解。湖北本地MEMS微纳米加工
射频MEMS器件分为MEMS滤波器、MEMS开关、MEMS谐振器等。射频前端模组主要由滤波器、低噪声放大器、功率放大器、射频开关等器件组成，其中滤波器是射频前端中重要的分立器件，滤波器的工艺就是MEMS，在射频前端模组中占比超过50%，主要由村田制作所等国外公司生产。因为没有适用的国产5GMEMS滤波器，因此华为手机只能用4G，也是这个原因，可见MEMS滤波器的重要性。滤波器（SAW、BAW、FBAR等），负责接收通道的射频信号滤波，将接收的多种射频信号中特定频率的信号输出，将其他频率信号滤除。以SAW声表面波为例，通过电磁信号-声波-电磁信号的两次转换，将不受欢迎的频率信号滤除。MEMSMEMS微纳米加工的生物传感器MEMS技术常用工艺技术组合有：紫外光刻、电子束光刻EBL、PVD磁控溅射、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀。
基于MEMS技术的SAW器件的工作模式和原理：
声表面波器件一般使用压电晶体(例如石英晶体等)作为媒介，然后通过外加一正电压产生声波，并通过衬底进行传播，然后转换成电信号输出。声表面波传感器中起主导作用的主要是压电效应，其设计时需要考虑多种因素:如相对尺寸、敏感性、效率等。一般地，无线无源声表面波传感器的信号频率范围从40MHz 到几个GHz。图2 所示为声表面波传感器常见的结构，主要部分包括压电衬底天线、敏感薄膜、IDT等 。传感器的敏感层通过改变声表面波的速度来实现频率的变化。
无线无源声表面波系统包:发射器、接收器、声表面波器件、通信频道。发射器和接收器组合成收发器或者解读器的单一模块。图3为声表面波系统及其相互关联的基础部件。解读器将功率传送给声表面波器件，该功率可以是收发器输入的连续波，脉冲或者喝啾 。一般地，声表面波器件获得 的功率大小具有一定限制，以降低发射功率，从而得到相同平均功率的喝啾 。根据各向同性的辐射体，接收的信号一般能通过高效的辐射功率天线发射。
MEMS制作工艺深硅刻蚀即ICP刻蚀工艺：硅等离子体刻蚀工艺的基本原理干法刻蚀是利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对硅片进行物理轰击及化学反应，以选择性的去除我们需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体，经抽气系统抽离，然后按照设计图形要求刻蚀出我们需要实现的深度。干法刻蚀可以实现各向异性，垂直方向的刻蚀速率远大于侧向的。其原理如图所示，生成CF基的聚合物以进行侧壁掩护，以实现各向异性刻蚀刻蚀过程一般来说包含物理溅射性刻蚀和化学反应性刻蚀。对于物理溅射性刻蚀就是利用辉光放电，将气体解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，溅击在被蚀刻物的表面，而将被蚀刻物质原子击出(各向异性)。对于化学反应性刻蚀则是产生化学活性极强的原(分)子团，此原(分)子团扩散至待刻蚀物质的表面，并与待刻蚀物质反应产生挥发性的反应生成物(各向同性)，并被真空设备抽离反应腔MEMS的超透镜是什么？
MEMS传感器的主要应用领域有哪些？
1、医疗MEMS传感器应用于无创胎心检测，检测胎儿心率是一项技术性很强的工作，由于胎儿心率很快，在每分钟l20～160次之间，用传统的听诊器甚至只有放大作用的超声多普勒仪，用人工计数很难测量准确。具有数字显示功能的超声多普勒胎心监护仪，价格昂贵，少数大医院使用，在中、小型医院及广大的农村地区无法普及。此外，超声振动波作用于胎儿，会对胎儿产生很大的不利作用。尽管检测剂量很低，也属于有损探测范畴，不适于经常性、重复性的检查及家庭使用。而采用PMUT、或者CMUT的超声技术，可以探测或成像方式来呈现监测对象的准确的测量。 MEMS制作工艺柔性电子的常用材料是什么？广西MEMS微纳米加工产业化
MEMS历史悠久，技术集成程度较高。湖北本地MEMS微纳米加工
驾驶辅助系统升级带动MEMS＆传感器价值提升。自动驾驶已成大趋势，环境信息的感知是实现自动驾驶的基础，越高级别的自动驾驶对信息感知能力的需求越高，对应的MEMS＆传感器用量和价值量也会相应提升。根据NXP和Strategy analysis的数据，L1/2级别的自动驾驶只需要1个摄像头模组、1-3个超声波雷达和激光雷达，以及0-1个融合传感器，新增半导体价值在100-350美元，而至L4/5级别自动驾驶车辆将会引入7-13个超声波雷达和激光雷达、6-8个摄像头模组并会引入V2X模块以及多传感器融合方案，新增半导体价值在1000美元以上。另外，短期来看，现实条件暴露了ADAS的缺陷，导致了一些安全事故的发生，由此对ADAS系统的安全性需求猛增，这些缺点重新致力于改进LIDAR、RADAR和其他成像设备，将多面传感器系统集成到自动驾驶汽车中。湖北本地MEMS微纳米加工
