云南工业级MOS管厂

MOS管有什么优点：1)输入阻抗高，驱动功率小：控制方式为电压控制，比较方便。由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率极小（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。

2）开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S,这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。 工程师们！你们有多了解MOS管？云南工业级MOS管厂

MOS管的参数测试是指对MOS管的各项参数进行测试和评估，以确定其性能是否符合要求。MOS管的主要参数包括静态参数和动态参数。1.静态参数测试静态参数测试是指对MOS管的静态电学参数进行测试，包括开关特性、漏电流、阈值电压、电容等。（1）开关特性测试开关特性测试是指对MOS管的开关特性进行测试，包括开启电压、关闭电压、开启时间、关闭时间等。开关特性测试可以通过直流电源和示波器进行测试。（2）漏电流测试漏电流测试是指对MOS管的漏电流进行测试。漏电流是指在MOS管关闭状态下，从漏极到源极的电流。漏电流测试可以通过直流电源和万用表进行测试。（3）阈值电压测试阈值电压测试是指对MOS管的阈值电压进行测试。阈值电压是指在MOS管的栅极电压为0时，漏极到源极的电流达到一定值时的栅极电压。阈值电压测试可以通过直流电源和万用表进行测试。（4）电容测试电容测试是指对MOS管的电容进行测试。MOS管的电容包括栅极-漏极电容和栅极-源极电容。电容测试可以通过LCR表进行测试。 云南工业级MOS管厂为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S;P沟道的电源输入为S，输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。

N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压(或称场电压)控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。

    MOS管介绍1、场效应管（FET）主要包括结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）；绝缘栅型场效应管包括增强型和耗尽型两种；增强型和耗尽型分别包括N型和P型两种。我们常用的场效应管一般是指增强型绝缘栅型场效应管，简称MOS管。2、对于较常用的两种MOS管，N型与P型，一般N型管使用场景更广。这是因为制造工艺不同，导致P型管的导通电阻大于N型管，且价格更昂贵。P型管与N型管参数也不容易做到对称，在集成电路中也是一样，因此在例如推挽这种电路中，上升时间与下降时间会存在区别。3、上图是MOS管等效模型，由于制作工艺问题，在3个管脚之间均存在寄生电容，它影响了MOS的开关特性，具体下面讲解。4、如上图所示，在DS之间存在一个寄生二极管，叫做体二极管，在集成电路中并不存在。当MOS管驱动感性负载时，体二极管可以作为续流二极管存在，驱动感性负载时很重要。 mos管驱动电流计算公式。

MOS管的工作原理增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。此时若在栅-源极间加上正向电压，即VGS＞0，则栅极和硅衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个栅极指向P型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压VGS无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的N型导电沟道，当VGS大于管子的开启电压VT（一般约为2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。 按照导电机制的不同，MOS管又可以分为增强型和耗尽型。成都MOS管厂家地址

MOS管的种类和结构，还有MOS管的4种类型。云南工业级MOS管厂

动态参数测试是指对MOS管的动态电学参数进行测试，包括开关速度、反向恢复时间等。（1）开关速度测试开关速度测试是指对MOS管的开关速度进行测试。开关速度是指MOS管从开启到关闭或从关闭到开启的时间。开关速度测试可以通过示波器进行测试。（2）反向恢复时间测试反向恢复时间测试是指对MOS管的反向恢复时间进行测试。反向恢复时间是指MOS管在反向电压下，从导通到截止再到反向恢复的时间。反向恢复时间测试可以通过示波器进行测试。 云南工业级MOS管厂