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我们把单片机的一个IO口接到这个MOS管的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等效为这个被闭合的开关，指示灯光就会被打开；那输出为低的时候呢，这个NMOS就等效为这个开关被松开了，那此时这个灯光就被关闭，是不很简单。那如果我们不停的切换这个开关，那灯光就会闪烁。如果切换的这个速度再快一点，因为人眼的视觉暂留效应，灯光就不闪烁了。此时我们还能通过调节这个开关的时间来调光，这就是所谓的PWM波调光，以上就是MOS管经典的用法，它实现了单片机的IO口控制一个功率器件。当然你完全可以把灯泡替换成其他的器件。器件比如说像水泵、电机、电磁铁这样的东西。 mos管有几种类型各有什么特点？贵州汽车级MOS管厂价

MOS管重要特性：4.寄生二极管漏极和源极之间有一个寄生二极管，即“体二极管”，在驱动感性负载(如马达、继电器)应用中，主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

5.不同耐压MOS管特点不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻只是总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的。不同耐压MOS管的区别主要在于，耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，因此，它们的特性在实际应用中也表现出了不一样之处，如耐中低压MOS管只需要极低的栅极电荷就可以满足强大电流和大功率处理能力，除开关速度快之外，还具有开关损耗低的特点，特别适应PWM输出模式应用;而耐高压MOS管具有输入阻抗高的特性，在电子镇流器、电子变压器、开关电源方面应用较多。 云南MOS管厂地址多维度介绍MOS管，了解MOS管，看这个就够了！

MOS管的开通过程关于MOS管的开通过程，网络上有许多文档进行分析，其来源应为一篇带感性负载的MOS管开通过程的分析，很多转发该文章的网文却常常忽略了这一点，把这个过程当做了所有场景下MOS的开通过程。因此，在分析之前，先说明本文分析的前提：阻性负载下，VDS固定时，加驱动电压VGS的情况下，MOS管的导通过程分析。

带阻性负载的MOS管电路在GS、GD、DS之间都有寄生电容，在DS之间还有一个寄生二极管。在t0时刻，MOS管栅极加一驱动电压VGS,其值为MOS管完全导通所需要的驱动电压VGS(sat)后续，若负载继续加重，使漏极电流继续上升，则MOS管的电流将会饱和，MOS管进入饱和区。

MOS管集成电路的性能及特点1.功耗低MOS管集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，MOS管电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值只有20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也只有几mW。

2.工作电压范围宽MOS管集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在3~18V电压下正常工作。

3.逻辑摆幅大MOS管集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近似15V。因此，MOS管集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。 按照导电机制的不同，MOS管又可以分为增强型和耗尽型。

    MOS管介绍1、场效应管（FET）主要包括结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）；绝缘栅型场效应管包括增强型和耗尽型两种；增强型和耗尽型分别包括N型和P型两种。我们常用的场效应管一般是指增强型绝缘栅型场效应管，简称MOS管。2、对于较常用的两种MOS管，N型与P型，一般N型管使用场景更广。这是因为制造工艺不同，导致P型管的导通电阻大于N型管，且价格更昂贵。P型管与N型管参数也不容易做到对称，在集成电路中也是一样，因此在例如推挽这种电路中，上升时间与下降时间会存在区别。3、上图是MOS管等效模型，由于制作工艺问题，在3个管脚之间均存在寄生电容，它影响了MOS的开关特性，具体下面讲解。4、如上图所示，在DS之间存在一个寄生二极管，叫做体二极管，在集成电路中并不存在。当MOS管驱动感性负载时，体二极管可以作为续流二极管存在，驱动感性负载时很重要。 成都长九电子科技有限公司为伯恩半导体（BORN）西南分公司。贵州汽车级MOS管厂价

从应用侧出发来给大家介绍一下MOS管里面常见的。贵州汽车级MOS管厂价

MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。

而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极和源极有一个保护的稳压管DZ，把静电嵌位于保护稳压二极管的稳压值以下，有效的保护了栅极和源极的绝缘层，不同功率、不同型号的MOS管其保护稳压二极管的稳压值是不同的。虽然MOS管内部有了保护措施，我们操作时也应按照防静电的操作规程进行，这是一个合格的维修员应该具备的。 贵州汽车级MOS管厂价