光电激光干涉仪形貌测量

一次绕组可调，二次多绕组电流互感器。这种电流互感器的特点是变比量程多，而且可以变更，多见于高压电流互感器。其一次绕组分为两段，分别穿过互感器的铁心，二次绕组分为两个带抽头的、不同准确度等级的独自绕组。一次绕组与装置在互感器外侧的连接片连接，通过变更连接片的位置，使一次绕组形成串联或并联接线，从而改变一次绕组的匝数，以获得不同的变比。带抽头的二次绕组自身分为两个不同变比和不同准确度等级的绕组，随着一次绕组连接片位置的变更，一次绕组匝数相应改变，其变比也随之改变，这样就形成了多量程的变比因此可以说，没有众多的优良的传感器，现代化生产也就失去了基础。光电激光干涉仪形貌测量

频率影响

1.当频率自额定值偏离±10%(但对相位表和功率因数表为±2%，对单相无功功率表为±5%)时，由此所引起的仪表指示值的改变应不超过表7中的规定值。如果在仪表上注明额定频率范围，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差都应不超过规定值。如果在仪表上除注明额定频率外，还注明有扩大的频率范围时，则在此范围内的任一频率下，仪表的基本误差应不超过表7中规定值的两倍。仪表辅助电路的电源，当其频率自额定值偏离±2%时，由此引起的仪表指示值的改变，应不超过表7规定值的一半。

2.检验频率的影响时，应遵守有关规定(对频率的规定除外)，且应除去变差影响。试验是在标度尺的几何中心附近和上量限附近的两点分度线上进行。相位表在额定电流下进行，功率表在额定功率因数下进行。 传感器激光干涉仪缺陷检测在测量软件WAVE的FFT图中，实时显示位移数据，可快速简便地进行频谱分析，以识别共振频率！

体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。

①普通型：它适合于一般应力测量；

②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；

③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；

④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。

⑤超线性型：它在比较宽的应力范围内，呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；

⑥P-N组合温度补偿型：它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。  

结构原理：普通电流互感器结构原理：电流互感器的结构较为简单，由相互绝缘的一次绕组、二次绕组、铁心以及构架、壳体、接线端子等组成。

其工作原理与变压器基本相同，一次绕组的匝数（N1）较少，直接串联于电源线路中，一次负荷电流(I1)通过一次绕组时，产生的交变磁通感应产生按比例减小的二次电流（I2）；二次绕组的匝数（N2）较多，与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷（Z）串联形成闭合回路，由于一次绕组与二次绕组有相等的安培匝数，I1N1=I2N2，电流互感器额定电流比电流互感器实际运行中负荷阻抗很小，二次绕组接近于短路状态，相当于一个短路运行的变压器。 膨胀计：热膨胀和磁致伸缩测量！

光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。外光电效应在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。外光电效应的一些实验规律a．只当照射物体的光频率不小于某个确定值时，物体才能发出光电子，这个频率叫做极限频率(或叫做截止频率)，相应的波长λ0叫做极限波长。不同物质的极限频率和相应的极限波长 是不同的。在环境条件下悬臂的共振频率，不施加压电致动器的任何振荡。番禺区激光干涉仪共焦

晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量!光电激光干涉仪形貌测量

被光束照射到的电子会吸收光子的能量，但是其中机制遵照的是一种非全有即全无的判据，光子所有能量都必须被吸收，用来克服逸出功，否则这能量会被释出。假若电子所吸收的能量能够克服逸出功，并且还有剩余能量，则这剩余能量会成为电子在被发射后的动能。逸出功W是从金属表面发射出一个光电子所需要的较小能量。如果转换到频率的角度来看，光子的频率必须大于金属特征的极限频率，才能给予电子足够的能量克服逸出功。逸出功与极限频率之间的关系为其中，h是普朗克常数，W是光频率为的光子的能量。克服逸出功之后，光电子的比较大动能为其中，hv是光频率为v的光子所带有并且被电子吸收的能量。实际物理要求动能必须是正值，因此，光频率必须大于或等于极限频率，光电效应才能发生。       光电激光干涉仪形貌测量