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    【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】2023年9月15日，全球功率系统和物联网领域的半导体***英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）管理委员会经监事会批准，决定通过证券交易所回购多达700万股**（ISINDE），回购总价（不含附带成本）高达3亿欧元。此次回购由一家*****机构**英飞凌通过法兰克福证券交易所的Xetra交易进行，定于2024年2月26日开始，并在2024年3月28日前（含当日）完成。回购的目的是根据现行的员工持股计划，向公司或关联公司员工、公司管理委员会成员以及关联公司管理委员会和董事会成员发放**。此次回购根据2023年2月16日年度股东大会的授权进行，并将根据欧盟第596/2014号条例第5条以及2016年3月8日欧盟委员会第2016/1052号授权条例的规定（欧盟第2016/1052号授权条例）执行。该授权条例补充了欧盟第596/2014号条例（回购计划和稳定措施适用条件的监管技术标准）。更多详情，请参阅根据欧盟第596/2014号条例第5（1））条和欧盟第2016/1052号授权条例第2（1）条发布的公告。该公告也发布于英飞凌网站。回购计划中的所有交易都将根据欧盟第2016/1052号授权条例的要求予以公布。英飞凌将在其网站定期更新**回购的进展情况。 若想合作英飞凌代理商，华芯源值得考虑，其加急服务可应对紧急采购需求。TO-263SAK-TC1784F-320F180EP BAINFINEON英飞凌

    人工智能的兴起为集成电路带来了新的发展机遇与挑战，二者正呈现出深度融合与协同发展的态势。一方面，人工智能算法对计算能力的巨大需求促使集成电路设计朝着专门的 AI 芯片方向发展。这些 AI 芯片采用特殊的架构，如神经网络处理器（NPU），针对人工智能中的矩阵运算、深度学习算法等进行了优化，能够大幅提高人工智能任务的处理速度和能效。例如，在图像识别、语音识别、自然语言处理等领域，AI 芯片的应用明显提升了系统的响应速度和准确性。另一方面，集成电路技术的进步也为人工智能算法的创新提供了更广阔的空间，使得更复杂、更智能的算法能够得以实现。这种相互促进的关系推动着人工智能从实验室走向普遍的实际应用，如智能安防、智能驾驶、智能医疗等领域，正在重塑各个行业的发展模式，开启智能化时代的新篇章。HSOP12INFINEON英飞凌原厂直供针对新能源领域，华芯源主推 INFINEON 车规级功率器件，品质可靠。

    在计算机的世界里，集成电路是当之无愧的 “大脑”。CPU作为计算机的运算重心，由复杂的集成电路构成。它能够以极高的速度处理海量的数据和指令，从简单的文字处理到复杂的科学计算、图形渲染等任务，都离不开 CPU 的强大运算能力。而内存芯片则以集成电路的形式存储着计算机运行时的数据和程序代码，其读写速度和存储容量直接影响着计算机的整体性能。此外，计算机中的各种控制芯片、接口芯片等也均为集成电路，它们协同工作，确保计算机各部件之间的高效通信与协调运作。随着集成电路技术的不断升级，计算机的性能持续提升，从大型机到个人电脑，再到如今的移动智能终端，集成电路的创新让计算能力无处不在，深刻改变了人们的工作、学习和娱乐模式。

    在工业领域，英飞凌的半导体产品发挥着至关重要的作用。其芯片被广泛应用于工业自动化、能源管理、电机驱动等系统中，帮助企业实现高效生产和节能减排。例如，在工业自动化生产线中，英飞凌的功率 MOSFET 和 IGBT 等器件能够精确控制电机的转速和扭矩，提高生产效率和产品质量。在能源管理方面，其智能功率模块可以实现对电力的高效转换和分配，降低能源损耗。此外，英飞凌的芯片还应用于充电桩和储能系统，为新能源汽车的推广和应用提供了有力支持。INFINEON 与客户合作，定制化半导体解决方案。

    英飞凌的产品素以高可靠性、优良质量和创新性著称。公司在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握前列技术。例如，英飞凌推出的AUIRF1324WL功率MOS管，专为汽车应用设计，具备低引线电阻、低Rds(on)、高耐压和低导通电阻等特点。该产品在电机控制、照明控制、电源管理和汽车电子等领域得到广泛应用，展现出强大的技术实力和市场竞争力。此外，英飞凌还率先推出全球300mm功率氮化镓（GaN）技术，进一步推动了氮化镓市场的快速增长。INFINEON 助力可再生能源系统提升能源转换效率。TLE4268GSINFINEON英飞凌

针对工业领域，华芯源主推 INFINEON IGBT 模块，适配变频器设备。TO-263SAK-TC1784F-320F180EP BAINFINEON英飞凌

    英飞凌三极管在半导体领域堪称技术革新与优良性能的典范之作。自投身三极管研发生产以来，英飞凌始终将科技创新置于前列，全力攻克一个又一个技术难关。在芯片制程工艺上，持续精进光刻技术，如今已能实现超精细的纳米级电路雕刻，让三极管内部结构愈发精密。这不仅意味着单位面积可集成更多晶体管，更赋予产品比较强的运算与处理能力。以其绝缘栅双极型晶体管（IGBT）为例，通过巧妙优化栅极结构与掺杂工艺，成功降低导通电阻，开关速度大幅跃升，电能损耗明显降低。当应用于新能源汽车的电机控制系统时，能高效准确地调控电流，瞬间释放强劲动力，实现迅猛加速，同时维持较低的电池能耗，为车辆续航里程立下汗马功劳；置于智能电网的高压变流设备里，可耐受数千伏高压冲击，稳定可靠地完成电能转换与传输，降低电网故障发生率。英飞凌还积极探索新型半导体材料，如碳化硅、氮化镓等宽禁带材料在三极管领域的运用。碳化硅基三极管耐高温性能优良，散热需求大幅降低，特别适合5G基站这类高功率、高发热场景，即便长时间满负荷运行，性能依旧稳定如初，为前沿科技产业发展注入澎湃动力。TO-263SAK-TC1784F-320F180EP BAINFINEON英飞凌