HEF4104BT

    肖特基二极管是一种基于金属 - 半导体结的二极管，与普通 PN 结二极管相比，具有正向压降小（约 0.3 - 0.5V）、反向恢复时间极短（几乎为零）、开关速度快等明显优势。这些特性使其在高频电路中表现出色，如在开关电源的同步整流电路中，肖特基二极管可降低导通损耗，提高电源转换效率；在高频逆变器、DC - DC 转换器中，快速的开关特性减少了电路的能量损耗和电磁干扰。此外，肖特基二极管的低正向压降也适用于低压大电流的应用场景，如锂电池保护电路。但肖特基二极管的反向耐压一般较低，通常在 100V 以下，在选型时需根据电路的实际需求，权衡其性能优势与耐压限制，充分发挥其在高频、低压电路中的作用。整流桥由四只二极管组成，可实现全波整流，简化电源电路设计。HEF4104BT,653

    二极管的反向特性曲线反映了二极管在反向偏置时的电流与电压的关系。在反向偏置的情况下，二极管中只有少数载流子形成的微弱反向电流。当反向电压较小时，反向电流几乎保持不变，这个电流称为反向饱和电流。随着反向电压的继续增加，当反向电压达到二极管的击穿电压时，二极管的反向电流会急剧增加。如果不加以限制，过大的反向电流会导致二极管损坏。不过，在稳压二极管中，正是利用了这种反向击穿特性来实现稳压功能。通过对反向特性曲线的分析，可以了解二极管的反向耐压能力和击穿特性。BUK7611-55B高压二极管常用于微波炉等高压设备中。

    随着人工智能、物联网、量子计算等新兴技术的快速发展，二极管有望在这些领域展现新的应用潜力。在人工智能的边缘计算设备中，低功耗、高性能的二极管可用于信号处理和数据传输，为设备的实时运算提供支持。在物联网的传感器节点中，各种特殊功能的二极管，如磁敏二极管、热敏二极管等，可作为感知外界环境信息的关键元件，实现对温度、磁场、压力等多种物理量的精确监测。在量子计算领域，二极管可能在量子比特的控制和量子信号的处理方面发挥作用，尽管目前相关研究尚处于探索阶段，但二极管凭借其独特的电学特性，有望为新兴技术的突破和发展贡献力量，开启电子器件应用的新篇章。

    双基极二极管具有独特的负阻特性，由一个 PN 结和两个基极组成。在特定的电路条件下，双基极二极管可用于构成弛张振荡器。当在双基极二极管的发射极加上正向电压，且电压达到一定值（峰点电压）时，二极管导通，发射极电流迅速增大，进入负阻区，电压下降。当发射极电流减小到一定值（谷点电流）时，二极管截止，电压再次上升，如此反复，形成周期性的振荡信号。在一些定时电路、脉冲发生器电路中，双基极二极管构成的弛张振荡器可产生稳定的脉冲信号，用于控制电路的工作节奏和定时操作，如在电子闹钟的定时电路、晶闸管触发脉冲的产生电路等方面有广泛应用。二极管的正向导通电压具有温度依赖性。

    二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，其重要结构由 P 型半导体和 N 型半导体结合而成，两者交界处形成的 PN 结是实现单向导电的关键。当 P 区接电源正极、N 区接电源负极，即正向偏置时，外电场削弱了 PN 结内电场，使得多数载流子能够顺利通过 PN 结，形成较大的正向电流，二极管导通。反之，当 P 区接负极、N 区接正极，处于反向偏置时，外电场增强内电场，多数载流子难以通过，只有少数载流子形成微弱的反向电流，二极管近乎截止。这种独特的单向导电特性，使其在众多电路中承担着关键的整流、检波等功能，为电子设备的稳定运行奠定了基础。肖特基二极管以低正向压降和高开关速度著称，在低压大电流电路中有效降低功率损耗。LMR14050SDDAR 稳压(齐纳)二极管

二极管在电路中常用于整流、检波和稳压。HEF4104BT,653

    全波整流电路则需要两个二极管和一个中心抽头的变压器。在这种电路中，当交流电压输入变压器后，变压器的次级绕组产生两个大小相等、方向相反的交流电压。在正半周，一个二极管导通，电流通过该二极管和负载；在负半周，另一个二极管导通，电流通过另一个二极管和负载。这样，无论交流电压是正半周还是负半周，负载上都有电流通过，得到的直流电压脉动频率是交流输入电压频率的两倍，提高了整流效率，相较于半波整流，全波整流能够更好地利用交流电，为负载提供更稳定的直流电源。这种电路在一些早期的电子管收音机等设备中较为常见。HEF4104BT,653